[实用新型]一种用于化学气相沉积的反应器有效
| 申请号： | 201721510602.7 | 申请日： | 2017-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN207552443U | 公开（公告）日： | 2018-06-29 |
| 发明（设计）人： | 黄文嘉;彭伟伦;陈奉顺;洪伟;张中英;李明照;张瑞龙 | 申请（专利权）人： | 厦门三安光电有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/44 | 分类号： | C23C16/44 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361100 福建省厦门市*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本实用新型描述了一种用于化学气相沉积的反应器，包括晶片托架跟可旋转主轴，在本实用新型中，晶片托架在装载位置和沉积位置之间进行迁移。在沉积位置，晶片托架被可分离地安装在可旋转主轴的一端上，晶片托架与可旋转主轴接触的底部有环形凹槽，相对应的可旋转主轴的一端为环形凸起，用于与晶片托架的环形凹槽配合。晶片托架可以处理单个晶片或者同时处理多个晶片。本实用新型同样描述了本实用新型的几个实施例和变型。本实用新型的优点包括更低的成本和部件更长的寿命，还有更好的温度控制。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片托架 本实用新型 可旋转主轴 化学气相沉积 沉积位置 环形凹槽 反应器 晶片 环形凸起 可分离地 装载位置 变型 迁移 配合 | ||
【主权项】：
1.一种用于化学气相沉积的反应器，至少包括：用于承载晶片的晶片托架；可旋转主轴；对晶片托架加热的加热器；晶片托架在装载位置和沉积位置之间进行迁移；在沉积位置，晶片托架被可分离地安装在可旋转主轴的一端上；晶片托架与可旋转主轴接触的底部有环形凹槽，与环形凹槽相对应的可旋转主轴的一端为环形凸起，用于与晶片托架的环形凹槽配合。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
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C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
