[实用新型]超大功率LED芯片以及超大功率LED器件有效
| 申请号： | 201721517174.0 | 申请日： | 2017-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN207458944U | 公开（公告）日： | 2018-06-05 |
| 发明（设计）人： | 李树琪;张永慧;蔡勇;王庚 | 申请（专利权）人： | 宁波天炬光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/15 | 分类号： | H01L27/15;H01L33/62 |
| 代理公司： | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人： | 王锋;王茹 |
| 地址： | 315300 浙江省宁波市*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型公开了一种超大功率LED芯片以及超大功率LED器件。所述LED芯片的外延层包括复数个能独立发光的单胞，所述LED芯片的外延层包括复数个能独立发光的单胞，所述的复数个单胞相互串联和/或并联设置，所述的复数个单胞排布形成圆形或近似圆形的发光区。所述LED芯片上于除所述发光区之外的区域上还设置有若干个彼此电性隔离的芯片焊盘，由前述各单胞相互串联和/或并联形成的发光区工作电路与该等芯片焊盘电连接。所述芯片焊盘的尺寸在0.5mm×0.5mm以上。本实用新型实施例提供的超大功率LED芯片具有结构简单、发光面积大、功率密度高，封装工艺简单、封装成本低等特点。 | ||
| 搜索关键词： | 超大功率LED 单胞 复数 芯片焊盘 发光区 发光 本实用新型 芯片 外延层 串联 彼此电性 并联设置 封装工艺 工作电路 近似圆形 电连接 并联 排布 封装 隔离 | ||
【主权项】：
一种超大功率LED芯片，其特征在于：所述LED芯片的外延层包括复数个能独立发光的单胞，所述的复数个单胞相互串联和/或并联设置，所述的复数个单胞排布形成圆形或近似圆形的发光区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
