[实用新型]一种激光二极管与背光探测器集成芯片有效
| 申请号： | 201721517175.5 | 申请日： | 2017-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN207884067U | 公开（公告）日： | 2018-09-18 |
| 发明（设计）人： | 丘文夫;林琦;林中晞;王凌华;徐玉兰;陈景源;苏辉 | 申请（专利权）人： | 中国科学院福建物质结构研究所 |
| 主分类号： | H01S5/026 | 分类号： | H01S5/026 |
| 代理公司： | 北京知元同创知识产权代理事务所(普通合伙) 11535 | 代理人： | 刘元霞 |
| 地址： | 350002 *** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本公开涉及一种激光二极管与背光探测器集成芯片。所述芯片包括：一次外延样品；所述一次外延样品包括：n‑InP衬底(1)上依次生长n‑InP缓冲层(2)，InGaAlAs下分别限制层(3)，有源层(4)，InGaAlAs上分别限制层(5)，p‑InP腐蚀停止层(6)，p‑InGaAsP接触层(7)，p‑InP盖层(8)；所述一次外延样品上形成了脊和隔离区，垂直脊的方向通过隔离区形成2个区域，包括吸收区和激光区。本实用新型制备的芯片具有光功率高，探测功率高，隔离效果好，耦合效率高，暗电流小的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 一次外延 背光探测器 激光二极管 集成芯片 隔离区 限制层 芯片 本实用新型 腐蚀停止层 隔离效果 探测功率 耦合效率 暗电流 光功率 激光区 接触层 吸收区 衬底 源层 制备 垂直 生长 | ||
【主权项】：
1.一种激光二极管与背光探测器集成芯片，其特征在于，该芯片包括：一次外延样品；所述一次外延样品包括：n‑InP衬底(1)上依次生长n‑InP缓冲层(2)，InGaAlAs下分别限制层(3)，有源层(4)，InGaAlAs上分别限制层(5)，p‑InP腐蚀停止层(6)，p‑InGaAsP接触层(7)，p‑InP盖层(8)；所述一次外延样品上形成了脊和隔离区，垂直脊的方向通过隔离区形成2个区域，包括吸收区和激光区。
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