[实用新型]一种晶体硅太阳能电池结构有效
申请号: | 201721534081.9 | 申请日: | 2017-11-16 |
公开(公告)号: | CN207542252U | 公开(公告)日: | 2018-06-26 |
发明(设计)人: | 赵科雄;贾苗苗;许庆丰 | 申请(专利权)人: | 隆基乐叶光伏科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/02 | 分类号: | H01L31/02;H01L31/0224;H01L31/054;H01L31/0747 |
代理公司: | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人: | 徐文权 |
地址: | 710018 陕西省西安市西*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种晶体硅太阳能电池结构,自上而下依次包括正面电极、第一减反射膜、第一纳米银线透明导电膜、第一掺杂多/微晶硅层、第一隧穿氧化层、晶体硅片、第二隧穿氧化层、第二掺杂多/微晶硅层、第二纳米银线导电膜、第二减反射膜和背面电极;正面电极穿透第一减反射膜与第一纳米银线透明导电膜形成电接触;背面电极穿透第二减反射膜与第二纳米银线导电膜形成电接触。本实用新型在纳米银线透明导电膜上制作减反射膜,大大降低了电池表面的光反射,提高了转换效率。 | ||
搜索关键词: | 减反射膜 纳米银线 透明导电膜 晶体硅太阳能电池 本实用新型 隧穿氧化层 背面电极 微晶硅层 正面电极 电接触 穿透 掺杂 导电膜形成 电池表面 晶体硅片 转换效率 导电膜 光反射 制作 | ||
【主权项】:
1.一种晶体硅太阳能电池结构,其特征在于,自上而下依次包括正面电极(10)、第一减反射膜(1)、第一纳米银线透明导电膜(2)、第一掺杂多/微晶硅层(3)、第一隧穿氧化层(4)、晶体硅片(5)、第二隧穿氧化层(6)、第二掺杂多/微晶硅层(7)、第二纳米银线导电膜(8)、第二减反射膜(9)和背面电极(11);正面电极(10)穿透第一减反射膜(1)与第一纳米银线透明导电膜(2)形成电接触;背面电极(11)穿透第二减反射膜(9)与第二纳米银线导电膜(8)形成电接触。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的