[实用新型]功率半导体器件有效

专利信息
申请号: 201721548674.0 申请日: 2017-11-17
公开(公告)号: CN207781613U 公开(公告)日: 2018-08-28
发明(设计)人: 杨彦涛;王平;陈文伟 申请(专利权)人: 杭州士兰集成电路有限公司
主分类号: H01L29/78 分类号: H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336
代理公司: 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 代理人: 蔡纯;冯丽欣
地址: 310018 浙江省杭州市杭*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 本申请公开了功率半导体器件。该功率半导体器件包括:位于半导体衬底中的多个沟槽;位于多个沟槽底部下方的半导体衬底中的掺杂区;位于多个沟槽下部侧壁和底部的绝缘叠层;至少一部分位于多个沟槽中的屏蔽导体,屏蔽导体从多个沟槽上方延伸至其底部;在多个沟槽上部中位于屏蔽导体两侧的栅极导体;与源区和屏蔽导体电连接的源极电极;以及与栅极导体电连接的栅极电极,其中,栅极导体与屏蔽导体之间由绝缘叠层中的至少一层彼此隔离,栅极导体与体区之间由栅极电介质彼此隔离,屏蔽导体与半导体衬底之间由绝缘叠层彼此隔离。该功率半导体器件在沟槽底部形成掺杂区以减小栅漏电容。
搜索关键词: 屏蔽导体 功率半导体器件 栅极导体 绝缘叠层 衬底 半导体 掺杂区 电连接 隔离 栅极电介质 下部侧壁 源极电极 栅极电极 栅漏电容 减小 体区 源区 延伸 申请
【主权项】:
1.一种功率半导体器件,其特征在于,包括:位于半导体衬底中的多个沟槽,所述半导体衬底为第一掺杂类型;位于所述多个沟槽底部下方的半导体衬底中的掺杂区,所述掺杂区为第二掺杂类型,所述第二掺杂类型与所述第一掺杂类型相反;位于所述半导体衬底中的体区,所述体区邻近所述多个沟槽上部,且为所述第二掺杂类型;位于所述体区中的源区,所述源区为第一掺杂类型;位于所述多个沟槽下部侧壁和底部的绝缘叠层,所述绝缘叠层包括第一绝缘层和第二绝缘层,所述第一绝缘层围绕所述第二绝缘层;至少一部分位于所述多个沟槽中的屏蔽导体,所述屏蔽导体从所述多个沟槽上方延伸至其底部;在所述多个沟槽上部中位于所述屏蔽导体两侧的栅极导体;与所述源区和所述屏蔽导体电连接的源极电极;以及与所述栅极导体电连接的栅极电极,其中,所述栅极导体与所述屏蔽导体之间由所述绝缘叠层中的至少一层彼此隔离,所述栅极导体与所述体区之间由栅极电介质彼此隔离,所述屏蔽导体与所述半导体衬底之间由所述绝缘叠层彼此隔离。
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