[实用新型]一种PVD反应室及PVD机台有效
| 申请号： | 201721558942.7 | 申请日： | 2017-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN207498460U | 公开（公告）日： | 2018-06-15 |
| 发明（设计）人： | 闫帅臣;吴孝哲;林宗贤;吴龙江;薛超 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/50 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 223300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种PVD反应室及PVD机台，所述PVD反应室包括：外壁壳体；设于所述外壁壳体内的保护罩，其中，所述保护罩底部设有一与所述外壁壳体贯通的通孔；一端贯通所述外壁壳体底部，另一端通过所述通孔延伸至所述保护罩内的基座；及贯穿所述外壁壳体底部并通过所述通孔延伸至所述保护罩内的进气管路。通过本实用新型提供的PVD反应室及PVD机台，解决了现有PVD工艺成本较高的问题。 1 | ||
| 搜索关键词： | 外壁壳体 保护罩 反应室 机台 通孔 本实用新型 贯通 工艺成本 进气管路 外壁壳 延伸 体内 贯穿 | ||
【主权项】：
1.一种PVD反应室，其特征在于，所述PVD反应室包括：
外壁壳体；
设于所述外壁壳体内的保护罩，其中，所述保护罩底部设有一与所述外壁壳体贯通的通孔；
一端贯通所述外壁壳体底部，另一端通过所述通孔延伸至所述保护罩内的基座；及
贯穿所述外壁壳体底部并通过所述通孔延伸至所述保护罩内的进气管路。
2.根据权利要求1所述的PVD反应室，其特征在于，所述基座包括贯通所述外壁壳体底部的固定杆，及设于所述固定杆上的放置台。3.根据权利要求1所述的PVD反应室，其特征在于，所述进气管路设于所述基座一侧。4.根据权利要求1所述的PVD反应室，其特征在于，所述进气管路设于所述基座内，且所述基座上部设有与所述进气管路贯通的出气口。5.根据权利要求1至4任一项所述的PVD反应室，其特征在于，所述进气管路的直径小于0.25英尺。6.根据权利要求3所述的PVD反应室，其特征在于，所述基座上设有加热装置。7.根据权利要求1所述的PVD反应室，其特征在于，所述PVD反应室还包括设于所述保护罩上方的靶材，及设于所述靶材上方的磁铁。8.根据权利要求1所述的PVD反应室，其特征在于，所述PVD反应室还包括设于所述外壁壳体上的低温抽气泵。9.一种PVD机台，其特征在于，所述PVD机台包括如权利要求1至8任一项所述的PVD反应室。
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