[实用新型]一种SiC肖特基二极管有效
| 申请号： | 201721570202.5 | 申请日： | 2017-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN207705204U | 公开（公告）日： | 2018-08-07 |
| 发明（设计）人： | 朱继红;蔺增金;赵小瑞;张志文 | 申请（专利权）人： | 北京燕东微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/24;H01L29/40;H01L21/329 |
| 代理公司： | 北京正理专利代理有限公司 11257 | 代理人： | 张雪梅 |
| 地址： | 100015 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型公开一种SiC肖特基二极管，包括：第一导电类型的SiC衬底；第一导电类型的SiC外延层，设置在衬底的第一表面上，并且外延层的掺杂浓度小于衬底的掺杂浓度；介质层，设置在外延层的远离衬底的表面上并在中间形成开口，自开口向两侧具有厚度逐渐增加的斜坡结构；第一电极层，设置在衬底的第二表面上；以及第二电极层，包括覆盖开口的肖特基接触区和延伸到介质层上的场板结构。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 外延层 第一导电类型 肖特基二极管 开口 介质层 掺杂 本实用新型 肖特基接触 场板结构 第二表面 第二电极 第一表面 第一电极 斜坡结构 逐渐增加 延伸 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种SiC肖特基二极管，包括：第一导电类型的SiC衬底；第一导电类型的SiC外延层，设置在所述衬底的第一表面上，并且所述外延层的掺杂浓度小于所述衬底的掺杂浓度；介质层，设置在所述外延层的远离所述衬底的表面上并在中间形成开口，自所述开口向两侧具有厚度逐渐增加的斜坡结构；第一电极层，设置在所述衬底的第二表面上；以及第二电极层，包括覆盖所述开口的肖特基接触区和延伸到所述介质层上的场板结构。
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