[实用新型]一种SiC肖特基二极管有效
| 申请号： | 201721572919.3 | 申请日： | 2017-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN207381407U | 公开（公告）日： | 2018-05-18 |
| 发明（设计）人： | 朱继红;蔺增金;赵小瑞;张志文 | 申请（专利权）人： | 北京燕东微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/24 | 分类号： | H01L29/24;H01L29/40;H01L21/329;H01L29/872 |
| 代理公司： | 北京正理专利代理有限公司 11257 | 代理人： | 张雪梅 |
| 地址： | 100015 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种SiC肖特基二极管，其特征在于，包括：第一导电类型的SiC衬底；第一导电类型的SiC外延层，设置在衬底的第一表面上，其中，外延层的掺杂浓度小于衬底的掺杂浓度；第一斜坡介质层，设置在外延层的远离衬底的表面上，并在中间形成有开口，第一斜坡介质层具有斜坡结构；第二斜坡介质层，设置在第一斜坡介质层上，并具有斜坡结构；第一电极层，设置在衬底的第二表面上；以及第二电极层，包括覆盖开口的肖特基接触区以及延伸到第一斜坡介质层和第二斜坡介质层的金属场板结构。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 sic 肖特基 二极管 | ||
【主权项】：
1.一种SiC肖特基二极管，其特征在于，包括：第一导电类型的SiC衬底；第一导电类型的SiC外延层，设置在所述衬底的第一表面上，其中，所述外延层的掺杂浓度小于所述衬底的掺杂浓度；第一斜坡介质层，设置在所述外延层的远离所述衬底的表面上，并在中间形成有开口，所述第一斜坡介质层具有斜坡结构；第二斜坡介质层，设置在所述第一斜坡介质层上，并具有斜坡结构；第一电极层，设置在所述衬底的第二表面上；以及第二电极层，包括覆盖所述开口的肖特基接触区以及延伸到所述第一斜坡介质层和所述第二斜坡介质层的金属场板结构。
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