[实用新型]一种与Si-CMOS工艺兼容的AlGaN/GaN异质结HEMT器件有效
| 申请号： | 201721577336.X | 申请日： | 2017-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN207925477U | 公开（公告）日： | 2018-09-28 |
| 发明（设计）人： | 王洪;周泉斌;李祈昕 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/20;H01L21/335 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人： | 何淑珍 |
| 地址： | 511458 广东省广州市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种与Si‑CMOS工艺兼容的AlGaN/GaN异质结HEMT器件。该器件包括：AlGaN/GaN异质结外延层、钝化层、栅介质层、无金栅电极、无金源漏电极。所述AlGaN/GaN异质结外延层从下往上依次包括衬底、氮化物成核层、氮化物缓冲层、GaN沟道层、AlGaN本征势垒层和AlGaN重掺杂层，AlGaN重掺杂层通过电离施主产生电荷以补偿半导体的表面受主能级从而抑制电流崩塌，同时经低温退火与电极形成欧姆接触。本实用新型可以有效抑制HEMT器件的电流崩塌，提高器件性能，解决了AlGaN/GaN异质结HEMT与Si‑CMOS工艺兼容的技术瓶颈。 | ||
| 搜索关键词： | 异质结 本实用新型 异质结外延 电流崩塌 重掺杂层 兼容 氮化物成核层 氮化物缓冲层 低温退火 电极形成 工艺兼容 技术瓶颈 欧姆接触 器件性能 受主能级 有效抑制 栅介质层 电荷 钝化层 漏电极 势垒层 栅电极 电离 本征 衬底 金源 半导体 | ||
【主权项】：
1.一种与Si‑CMOS工艺兼容的AlGaN/GaN异质结HEMT器件，其特征在于，包括AlGaN/GaN异质结外延层、钝化层、栅介质层、无金栅电极、无金源漏电极；所述AlGaN/GaN异质结外延层从下往上依次包括衬底、氮化物成核层、氮化物缓冲层、GaN沟道层、AlGaN本征势垒层和AlGaN重掺杂层，AlGaN重掺杂层通过电离施主产生电荷以补偿半导体的表面受主能级从而抑制电流崩塌，同时经低温退火与无金源漏电极形成欧姆接触。
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