[实用新型]一种新型双层磁性绝缘硅复合材料有效
| 申请号： | 201721580146.3 | 申请日： | 2017-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN207852677U | 公开（公告）日： | 2018-09-11 |
| 发明（设计）人： | 黄志强 | 申请（专利权）人： | 常州晶麒新材料科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L21/762 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 213000 江苏省常州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种新型双层磁性绝缘硅复合材料，包含由磁性层和绝缘层组成的中间层；所述中间层的上表面和下表面分别设置有单晶硅片；所述绝缘层，包含二氧化硅基多元复合材料层；所述二氧化硅基多元复合材料层的上表面设置有磁性层；所述磁性层的上表面设置有第一二氧化硅膜层；所述二氧化硅基多元复合材料层的下表面设置有第二二氧化硅膜层；本实用新型的新型双层磁性绝缘硅复合材料具有完整的单晶硅晶格结构，所述磁性层和绝缘层的各组分的厚度和深度分布可调，电学和磁学性能优良，且不需采用复杂昂贵设备，整体制备工艺简单、易行、低成本。 | ||
| 搜索关键词： | 磁性层 绝缘层 多元复合材料 二氧化硅基 复合材料 绝缘硅 上表面 二氧化硅膜层 本实用新型 下表面 中间层 单晶硅 昂贵设备 磁学性能 单晶硅片 晶格结构 制备工艺 低成本 电学 可调 | ||
【主权项】：
1.一种新型双层磁性绝缘硅复合材料，包含由磁性层和绝缘层组成的中间层；所述中间层的上表面和下表面分别设置单晶硅片；其特征在于：所述绝缘层，包含二氧化硅基多元复合材料层；所述磁性层，包含磁性功能材料层；磁性层的上表面设置有第一二氧化硅膜层，下表面设置二氧化硅基多元复合材料层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
