[实用新型]铜锌锡硫太阳电池有效
申请号: | 201721580248.5 | 申请日: | 2017-11-23 |
公开(公告)号: | CN207572376U | 公开(公告)日: | 2018-07-03 |
发明(设计)人: | 唐雅琴;刘仪柯;刘芳洋;蒋良兴;黎应芬 | 申请(专利权)人: | 贵州理工学院 |
主分类号: | H01L31/032 | 分类号: | H01L31/032 |
代理公司: | 长沙智德知识产权代理事务所(普通合伙) 43207 | 代理人: | 陈铭浩 |
地址: | 550003 *** | 国省代码: | 贵州;52 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型公开一种铜锌锡硫太阳电池,该铜锌锡硫太阳电池包括依次叠层设置的衬底、背电极层、光吸收层、缓冲层、窗口层和顶电极层,其中,所述光吸收层为铜锌锡硫薄膜或铜锌锡硫硒薄膜,所述窗口层包括设置在所述缓冲层一侧的本征氧化锌层以及设置在所述本征氧化锌层和所述顶电极层之间的透明导电层,所述透明导电层为金属线和石墨烯形成的复合层。本实用新型的技术方案中,采用金属线和石墨烯形成的复合层代替传统的掺铝氧化锌作为铜锌锡硫太阳电池的透明导电窗口层,由于其具有优良的透光性和导电性能,能够减少入射光传输过程中的损失,在保证电池功率输出的同时增加电池的吸光性能,从而增加电池的光电转换效率。 | ||
搜索关键词: | 铜锌锡硫 本征氧化锌层 本实用新型 透明导电层 顶电极层 光吸收层 窗口层 复合层 缓冲层 金属线 石墨烯 电池 透明导电窗口层 光电转换效率 铜锌锡硫薄膜 掺铝氧化锌 铜锌锡硫硒 背电极层 传输过程 导电性能 电池功率 吸光性能 传统的 入射光 透光性 衬底 叠层 薄膜 输出 保证 | ||
【主权项】:
1.一种铜锌锡硫太阳电池,其特征在于,包括依次叠层设置的衬底、背电极层、光吸收层、缓冲层、窗口层和顶电极层,其中,所述光吸收层为铜锌锡硫薄膜或铜锌锡硫硒薄膜,所述窗口层包括设置在所述缓冲层一侧的本征氧化锌层以及设置在所述本征氧化锌层和所述顶电极层之间的透明导电层,所述透明导电层为金属线和石墨烯形成的复合层,所述金属线和石墨烯形成的复合层的厚度为50‑1000nm,所述金属线的直径为10nm‑500nm,所述缓冲层为硫化镉薄膜,所述硫化镉薄膜的厚度为30‑50nm。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于贵州理工学院,未经贵州理工学院许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201721580248.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种太阳能电池正面栅线结构
- 下一篇:一种多漂移环结构的紫外雪崩漂移探测器
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的