[实用新型]五阶压控忆阻蔡氏混沌信号发生器有效
申请号: | 201721590664.3 | 申请日: | 2017-11-24 |
公开(公告)号: | CN207753729U | 公开(公告)日: | 2018-08-21 |
发明(设计)人: | 林毅;刘文波 | 申请(专利权)人: | 南京航空航天大学 |
主分类号: | H04L9/00 | 分类号: | H04L9/00 |
代理公司: | 江苏圣典律师事务所 32237 | 代理人: | 贺翔 |
地址: | 210016 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种五阶压控忆阻蔡氏混沌信号发生器,该混沌信号发生器是通过在经典蔡氏电路的耦合电阻支路中串联一个电感,并直接采用非理想压控忆阻替换经典蔡氏电路中的非线性电阻元件——蔡氏二极管来实现的。电路包括两部分:经典蔡氏电路和非理想压控忆阻等效实现电路。本实用新型设计的一种五阶压控忆阻蔡氏混沌信号发生器通过调节电路元件参数即可产生混沌吸引子、周期极限环等复杂的非线性现象,使其成为了一类新型的混沌信号发生器。产生的混沌信号稳定性强,具有显著的混沌特性,对忆阻混沌电路在实际工程应用中的发展起到较大的推进作用。 | ||
搜索关键词: | 混沌信号发生器 蔡氏电路 五阶 本实用新型 非理想 电路 非线性电阻元件 电路元件参数 电感 非线性现象 混沌吸引子 二极管 混沌电路 混沌特性 混沌信号 实际工程 推进作用 稳定性强 耦合电阻 支路 极限环 串联 替换 应用 | ||
【主权项】:
1.五阶压控忆阻蔡氏混沌信号发生器,其特征在于,包括非理想压控忆阻等效实现电路、第一至第二电容、第一电阻、以及第一至第二电感;所述非理想压控忆阻等效实现电路的正极分别和第一电容的一端、第一电阻的一端相连,负极分别和第一电容的另一端、第二电容的一端、第二电感的一端相连后接地;所述第一电阻的另一端和所述第一电感的一端相连;所述第一电感的另一端分别和所述第二电感的另一端、第二电容的另一端相连。
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