[实用新型]一种可编程高精度温度补偿系统有效

专利信息
申请号: 201721614947.7 申请日: 2017-11-28
公开(公告)号: CN207515923U 公开(公告)日: 2018-06-19
发明(设计)人: 卢艳;高峰;杨东峰;黄岳 申请(专利权)人: 西安豫西红阳机电有限公司
主分类号: G01K7/21 分类号: G01K7/21
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 710043 陕西省西安市碑*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 一种可编程高精度温度补偿系统,包括电流桥偏置电路和温度补偿电路,电流桥偏置电路中采用铂电阻输入采样的电阻值,通过电流桥偏置电路的反馈设计,保证对输入电阻的有效采样,温度补偿电路主要包括对输入电阻采样后的跨度温度补偿、零位温度补偿、增益温度补偿,该补偿采用FGA的可编程设计,将输出的电压值在整个工作温度范围内,实现高线性度和高精度的输出。
搜索关键词: 偏置电路 电流桥 温度补偿电路 温度补偿系统 输入电阻 温度补偿 可编程 增益温度补偿 可编程设计 高线性度 输入采样 有效采样 输出 铂电阻 采样 电阻 零位 跨度 反馈 保证
【主权项】:
1.一种可编程高精度温度补偿系统,其特征在于,包括电流桥偏置电路(1)与温度补偿电路(2),所述的电流桥偏置电路(1)包括铂电阻,输入的铂电阻的一端接电阻R2的一端,且与运算放大器(N1)的反相输入端相连,电阻R2的另一端与电阻R1的一端、PMOSFET M1的漏极相连,且输出B信号,电阻R1的另一端与电阻R3的一端相连,且与运算放大器(N1)的正相输入端相连,输入的铂电阻的另一端和电阻R3的另一端与地线相连,PMOSFET M1的源极与PMOSFET M2的源极相连,且与电源Vdd相连,PMOSFET M1的栅极与PMOSFET M2的栅极、PMOSFET M2的漏极、电阻R5的一端相连,且输出A信号,电阻R5的另一端与地线相连,运算放大器(N1)的输出端输出C信号;所述的电流桥偏置电路(1)输出的A信号与温度补偿电路(2)中的电阻R4的一端相连;电流桥偏置电路(1)输出的B信号直接进入跨度温度补偿;电流桥偏置电路(1)输出的C信号直接进入零位温度补偿;电阻R4的另一端与跨度温度补偿的输出、零位温度补偿的输出相连,同时输入到增益温度补偿,最终输出Vout。
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