[实用新型]大电流直流电路的通断控制装置有效

专利信息
申请号: 201721616602.5 申请日: 2017-11-28
公开(公告)号: CN207490891U 公开(公告)日: 2018-06-12
发明(设计)人: 马庆龙;谢恺;杨瑞赓;黄平;石晓龙;吴昊;刘昌昌 申请(专利权)人: 浙江中航通飞研究院有限公司
主分类号: H03K17/687 分类号: H03K17/687;H03K17/041
代理公司: 杭州九洲专利事务所有限公司 33101 代理人: 翁霁明
地址: 313219 浙江省湖州市德清县*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 大电流直流电路的通断控制装置,它包括两个背对背连接的、允许电路双向控制的MOSFET,所述两个背对背连接构型的MOSFET由一驱动电路驱动相连,所述的驱动电路与一能够接收高电平控制信号的信号处理模块相连;所述的驱动电路主要由一NMOS高边驱动芯片组成,该高边驱动芯片的针脚1、5之间串接有一自举二极管,而在针脚4、6之间相接有一电容,针脚4、5分别连接于两个MOSFET的S极和G极,所述高边驱动芯片的信号输入针脚3连接于具有延时输出功能的信号处理芯片构成的信号处理模块;所述信号处理芯片的信号输出针脚1与高边驱动芯片的信号输入针脚3相连,而所述信号处理芯片的信号输入针脚3外连高电平的控制信号。
搜索关键词: 针脚 高边驱动 信号处理芯片 驱动电路 信号输入 芯片 通断控制装置 信号处理模块 背对背连接 直流电路 大电流 高电平控制信号 信号输出针脚 控制信号 双向控制 延时输出 二极管 电容 高电平 串接 构型 电路 驱动
【主权项】:
大电流直流电路的通断控制装置,它包括两个背对背连接的、允许电路双向控制的MOSFET ,其特征在于所述两个背对背连接构型的MOSFET由一驱动电路驱动相连,所述的驱动电路与一能够接收高电平控制信号的信号处理模块相连;所述的驱动电路主要由一NMOS高边驱动芯片(IC2)组成,该高边驱动芯片(IC2)的针脚1、5之间串接有一自举二极管(D),而在针脚4、6之间相接有一电容(C),针脚4、5分别连接于两个MOSFET的S极和G极,所述高边驱动芯片(IC2)的信号输入针脚3连接于具有延时输出功能的信号处理芯片(IC1)构成的信号处理模块;所述信号处理芯片(IC1)的信号输出针脚1与高边驱动芯片(IC2)的信号输入针脚3相连,而所述信号处理芯片(IC1)的信号输入针脚3外连高电平的控制信号。
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