[实用新型]PMOS器件有效
| 申请号： | 201721648773.6 | 申请日： | 2017-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN207690801U | 公开（公告）日： | 2018-08-03 |
| 发明（设计）人： | 尹晓雪 | 申请（专利权）人： | 西安科锐盛创新科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/02 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 黄晶晶 |
| 地址： | 710065 陕西省西安市高新区高新路86号*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种PMOS器件，所述PMOS器件(100)包括：Si衬底(101)；晶化SiGe层(102)，设置于所述Si衬底(101)上表面；N型应变Ge层(103)，设置于所述晶化SiGe层(102)上表面；栅极(104)，设置于所述N型应变Ge层(103)上表面中间位置处；源区(105)与漏区(106)，设置于所述N型应变Ge层(103)上部并分别位于所述栅极(104)两侧位置处。本实用新型通过激光再晶化工艺，使外延层发生固相‑液相‑固相的两次相变，通过横向释放高Ge组分SiGe与Si之间的失配位错，可极大提升高Ge组分SiGe/Si外延层的晶体质量，为后续应变锗的生长提供了重要前提；利用上述应变锗制备的PMOS迁移率比传统PMOS高，器件工作速度快，性能提高。 | ||
| 搜索关键词： | 上表面 晶化 本实用新型 外延层 衬底 两侧位置 失配位错 重要前提 迁移率 漏区 源区 制备 激光 释放 生长 | ||
【主权项】：
1.一种PMOS器件(100)，其特征在于，包括：Si衬底(101)；晶化SiGe层(102)，设置于所述Si衬底(101)上表面；N型应变Ge层(103)，设置于所述晶化SiGe层(102)上表面；栅极(104)，设置于所述N型应变Ge层(103)上表面中间位置处；源区(105)与漏区(106)，设置于所述N型应变Ge层(103)上部并分别位于所述栅极(104)两侧位置处；源区电极(107)、漏区电极(108)，分别设置于所述源区(105)上表面中间位置处与所述漏区(106)上表面中间位置处；介质层(109)，设置于所述源区(105)上表面并位于所述源区电极(107)两侧位置处、所述漏区(106)上表面并位于所述漏区电极(108)两侧位置处及所述栅极(104)上表面；钝化层(110)，设置于所述源区电极(107)、所述漏区电极(108)及所述介质层(109)上表面。
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