[实用新型]一种无刷直流电机驱动器拓扑电路有效
| 申请号： | 201721655698.6 | 申请日： | 2017-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN207530736U | 公开（公告）日： | 2018-06-22 |
| 发明（设计）人： | 李延春;汪顺长;薛飞 | 申请（专利权）人： | 丽水博远科技有限公司 |
| 主分类号： | H02P6/08 | 分类号： | H02P6/08;H02P6/16 |
| 代理公司： | 陕西电子工业专利中心 61205 | 代理人： | 田文英;王品华 |
| 地址： | 323000 浙江省丽水*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种无刷直流电机驱动器拓扑电路，主要解决现有技术中驱动电路在续流期间，对于绝缘栅双极型晶体管IGBT上的寄生二极管的过度依赖、电路维护成本高的缺点。本实用新型由三个金属‑氧化物半导体场效应晶体管MOSFET、三个绝缘栅双极型晶体管IGBT与三个快恢复肖特基二极管组成，每个快恢复肖特基二极管反向并联于每个绝缘栅双极型晶体管IGBT的源极与漏极之间。本实用新型电路结构简单，所用绝缘栅双极型晶体管IGBT工艺实现简单，减小绝缘栅双极型晶体管IGBT选择的局限性，保护绝缘栅双极型晶体管IGBT不受损害，同时可以达到检测电机转子位置的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘栅双极型晶体管IGBT 本实用新型 驱动器 无刷直流电机 肖特基二极管 拓扑电路 场效应晶体管 电机转子位置 氧化物半导体 寄生二极管 电路结构 电路维护 反向并联 工艺实现 驱动电路 减小 漏极 续流 源极 恢复 金属 检测 损害 | ||
【主权项】：
1.一种无刷直流电机驱动器拓扑电路，包括三个金属‑氧化物半导体场效应晶体管MOSFET与三个绝缘栅双极型晶体管IGBT，其特征在于，所述每个绝缘栅双极型晶体管IGBT的漏极与源极之间并联一个快恢复肖特基二极管，三个金属‑氧化物半导体场效应晶体管MOSFET与三个绝缘栅双极型晶体管IGBT和三个快恢复肖特基二极管，组成一个具有三个上桥臂和三个下桥臂的三相桥式驱动电路。
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