[实用新型]基于光子晶体光纤和光栅的磁场传感器有效

专利信息
申请号: 201721660544.6 申请日: 2017-12-04
公开(公告)号: CN207457476U 公开(公告)日: 2018-06-05
发明(设计)人: 英宇;许可 申请(专利权)人: 沈阳建筑大学
主分类号: G01R33/032 分类号: G01R33/032
代理公司: 沈阳东大知识产权代理有限公司 21109 代理人: 崔兰莳
地址: 110168 辽*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要: 实用新型提供一种基于光子晶体光纤和光栅的磁场传感器,所述磁场传感器由D型光子晶体光纤、纳米金层、纳米光栅和磁流体薄膜组成,纳米金层耦合在D型光子晶体光纤的轴向延伸的平滑表面,纳米光栅刻写在纳米金层上,磁流体薄膜覆盖在纳米光栅上,D型光子晶体光纤与纳米光栅的结构会增强倏逝波的强度。磁流体的折射率随着磁场强度的变化而变化,同时纳米金层表面自由电子共振产生吸收峰,其共振波长会发生偏移,通过观测共振波长的偏移过程实现对磁场的传感测量,采用的是表面等离子共振原理,只需分析磁流体与纳米金层的共振关系,吸收峰与磁场存在较明显的线性关系,解决了利用磁流体折射率特性所制备光纤磁场传感器线性度较差的问题。
搜索关键词: 光子晶体光纤 纳米金 纳米光栅 磁场传感器 磁流体 磁场 磁流体薄膜 光栅 共振波长 吸收峰 共振 表面等离子共振 光纤磁场传感器 刻写 本实用新型 折射率特性 表面自由 偏移过程 平滑表面 线性关系 轴向延伸 耦合 线性度 折射率 倏逝波 偏移 传感 制备 观测 测量 覆盖 分析
【主权项】:
一种基于光子晶体光纤和光栅的磁场传感器,其特征在于:由D型光子晶体光纤、纳米金层、纳米光栅和磁流体薄膜组成,所述纳米金层耦合在所述D型光子晶体光纤的轴向延伸的平滑表面,所述纳米光栅刻写在所述纳米金层上,所述磁流体薄膜覆盖在所述纳米光栅上。
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