[实用新型]一种刻蚀装置有效
| 申请号： | 201721663551.1 | 申请日： | 2017-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN207474431U | 公开（公告）日： | 2018-06-08 |
| 发明（设计）人： | 管高飞;周进;杜凌;张前 | 申请（专利权）人： | 无锡尚德太阳能电力有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 | 代理人： | 曹祖良 |
| 地址： | 214028 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种刻蚀装置，其中，所述刻蚀装置包括主刻蚀槽、副刻蚀槽和交换器，所述主刻蚀槽的出口和所述副刻蚀槽的入口连接，所述副刻蚀槽的出口和所述交换器的入口连接，所述交换器的出口与所述主刻蚀槽的入口连接，位于所述主刻蚀槽内的酸性刻饰液经过副刻蚀槽以及所述交换器进行冷却后返回到所述主刻蚀槽内，并能够在所述主刻蚀槽中对硅片进行刻蚀。本实用新型提供的刻蚀装置由于取消了冰水机，降低了因冰水机故障带来的工艺异常，降低了刻蚀的成本。 | ||
| 搜索关键词： | 主刻蚀 交换器 刻蚀装置 刻蚀槽 入口连接 本实用新型 冰水机 刻蚀 出口 硅片 饰液 冷却 返回 | ||
【主权项】：
一种刻蚀装置，其特征在于，所述刻蚀装置包括主刻蚀槽、副刻蚀槽和交换器，所述主刻蚀槽的出口和所述副刻蚀槽的入口连接，所述副刻蚀槽的出口和所述交换器的入口连接，所述交换器的出口与所述主刻蚀槽的入口连接，位于所述主刻蚀槽内的酸性刻蚀液经过副刻蚀槽以及所述交换器进行冷却后返回到所述主刻蚀槽内，并能够在所述主刻蚀槽中对硅片进行刻蚀。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
