[实用新型]一种沟槽栅超势垒整流器有效
| 申请号： | 201721665287.5 | 申请日： | 2017-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN207925475U | 公开（公告）日： | 2018-09-28 |
| 发明（设计）人： | 李泽宏;钟子期 | 申请（专利权）人： | 贵州恒芯微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/10 |
| 代理公司： | 贵阳中新专利商标事务所 52100 | 代理人： | 刘楠 |
| 地址： | 550000 贵州省贵阳市国家高新技术产*** | 国省代码： | 贵州;52 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种沟槽栅超势垒整流器，属于半导体功率器件技术领域；本实用新型对现有超势垒整流器的改进为：采用沟槽栅结构替代平面栅结构；沟槽栅超势垒整流器元胞尺寸小、沟道电阻小；另一方面，其栅氧化层位于硅片表面以下，避免了在引线键合过程中受损伤，可靠性提高；此外，其沟道区可以采用常规离子注入方法形成，重复性好，良率高。 | ||
| 搜索关键词： | 超势垒 整流器 沟槽栅 本实用新型 半导体功率器件 沟槽栅结构 平面栅结构 常规离子 沟道电阻 硅片表面 引线键合 栅氧化层 沟道区 良率 元胞 损伤 替代 改进 | ||
【主权项】：
1.一种沟槽栅超势垒整流器，其特征在于，包括：N+衬底；N‑漂移区，位于所述N+衬底上面；栅沟槽，位于N‑漂移区中；栅氧化层，位于栅沟槽的内表面；栅多晶层，位于栅沟槽中；pbody，位于相邻的栅沟槽之间；P+区，位于pbody中，接触孔正下方；N+区，位于硅片上表面，栅沟槽与接触孔之间；接触孔；阳极金属层，位于芯片上表面；阴极金属层，位于芯片下表面。
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