[实用新型]一种超宽带中子探测器及基于超宽带中子探测器的干涉仪有效
| 申请号： | 201721680368.2 | 申请日： | 2017-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN207717994U | 公开（公告）日： | 2018-08-10 |
| 发明（设计）人： | 易涛;苏明 | 申请（专利权）人： | 中国工程物理研究院激光聚变研究中心 |
| 主分类号： | G01T3/00 | 分类号： | G01T3/00;G01T3/08 |
| 代理公司： | 北京理工大学专利中心 11120 | 代理人： | 郭德忠;仇蕾安 |
| 地址： | 621054*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种超宽带中子探测器及基于超宽带中子探测器的干涉仪，属于核辐射探测技术领域，包括：由顺序固定的碳氢材料层、碘化铯层、半导体和衬底组成的探测单元、高压电源及中子束；在碳氢材料层和衬底的外表面上分别电镀第一金属膜和第二金属膜；第一金属膜与高压电源的负极电性连接；中子束入射到所述探测单元后，中子与碳氢材料层中的质子发生碰撞，产生反冲质子，反冲质子进入碘化铯层后产生自由电子；通过第一金属膜和第二金属膜之间负高压的电场作用将碘化铯层中产生的自由电子注入到半导体中，引起半导体的光学折射率变化；该探测器能够将中子束转化为半导体材料的折射率变化，利用光学干涉测量半导体材料的折射率变化获得中子束强度信息。 | ||
| 搜索关键词： | 金属膜 中子探测器 超宽带 中子束 碘化铯层 材料层 质子 碳氢 半导体 半导体材料 折射率变化 高压电源 探测单元 自由电子 干涉仪 衬底 反冲 光学干涉测量 本实用新型 光学折射率 核辐射探测 电场作用 负极电性 强度信息 电镀 负高压 固定的 探测器 入射 转化 | ||
【主权项】：
1.一种超宽带中子探测器，其特征在于，包括：由顺序固定的碳氢材料层(2)、碘化铯层(3)、半导体(4)和衬底(5)组成的探测单元、高压电源(7)及中子束(9)；在碳氢材料层(2)和衬底(5)的外表面上分别电镀第一金属膜(1)和第二金属膜(6)；第一金属膜(1)与高压电源(7)的负极电性连接，因此，在第一金属膜(1)和第二金属膜(6)之间形成负高压的电场；中子束(9)沿第一金属膜(1)法线方向入射到所述探测单元后，中子与碳氢材料层(2)中的质子发生碰撞，产生反冲质子，反冲质子进入碘化铯层(3)后产生电离效应，并产生自由电子；通过第一金属膜(1)和第二金属膜(6)之间负高压的电场作用将碘化铯层(3)中产生的自由电子注入到半导体(4)中，引起半导体(4)的光学折射率变化。
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