[实用新型]具有高散热性能的半导体器件有效
| 申请号： | 201721712985.6 | 申请日： | 2017-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN207993848U | 公开（公告）日： | 2018-10-19 |
| 发明（设计）人： | 戴建定 | 申请（专利权）人： | 四川洪芯微科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/367 | 分类号： | H01L23/367 |
| 代理公司： | 成都华风专利事务所(普通合伙) 51223 | 代理人： | 梁菊兰 |
| 地址： | 629200 四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种具有高散热性能的半导体器件，包括衬底及生长在衬底上的外延片：衬底具有一个空腔，空腔的截面为上窄下宽的等腰梯形；在衬底的上表面具有若干将空腔与外延片连通的第一通孔，在衬底的下表面具有若干将空腔与衬底外部连通的第二通孔，第一通孔的数量少于第二通孔的数量；衬底的两个相对侧面上均设有与空腔连通的第三通孔；外延片包括位于衬底上横向生长的成核层和位于成核层上的器件结构。该实用新型的半导体器件能能快速降低器件温度，显著提高器件的散热性能，有效降低器件工作温度；并且由于第一通孔的存在，横向生长而成的成核层与衬底的晶格适配小，外延片的各层之间应力小，具有更好的器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 通孔 外延片 空腔 半导体器件 成核层 高散热性能 横向生长 降低器件 本实用新型 等腰梯形 空腔连通 器件结构 器件性能 散热性能 上窄下宽 外部连通 相对侧面 上表面 下表面 晶格 适配 连通 生长 | ||
【主权项】：
1.一种具有高散热性能的半导体器件，其特征在于，包括衬底及生长在所述衬底上的外延片：所述衬底具有一个空腔，所述空腔的截面为上窄下宽的等腰梯形；在所述衬底的上表面具有若干将所述空腔与外延片的下表面连通的第一通孔，在所述衬底的下表面具有若干将所述空腔与衬底外部连通的第二通孔，所述第一通孔的数量少于所述第二通孔的数量；所述衬底的两个相对侧面上均设有与空腔连通的第三通孔；所述外延片包括位于所述衬底上横向生长的成核层和位于所述成核层上的器件结构。
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