[实用新型]大尺寸高功率脉冲晶闸管有效
| 申请号： | 201721770044.8 | 申请日： | 2017-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN208000920U | 公开（公告）日： | 2018-10-23 |
| 发明（设计）人： | 颜家圣;刘鹏;张桥;刘小俐;肖彦;朱玉德 | 申请（专利权）人： | 湖北台基半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/74 | 分类号： | H01L29/74;H01L29/423;H01L23/10 |
| 代理公司： | 襄阳嘉琛知识产权事务所 42217 | 代理人： | 严崇姚 |
| 地址： | 441021 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本实用新型的名称为大尺寸高功率脉冲晶闸管。属于功率半导体器件技术和脉冲功率技术领域。它主要是解决普通晶闸管开通di/dt低于1200A/µS和瞬态浪涌电流Itsm低于90kA的问题。它的主要特征是：芯片直径为4英寸～8英寸，为硅基PNPN四层三端结构；芯片两个端面镀金属薄层以连接外电极，放大门极分布区与阴极交叉排布；芯片、绝缘胶圈、阴极钼片、阳极钼片、门极组件、管壳上封接件和管壳下封接件采用悬浮式组装和压接封装；放大门极中心区外缘与阴极的阴极区的交界线位于20%芯片直径以外，放大门极分布区呈雪花型排列。本实用新型单只器件的脉冲峰值电流Ipm可达200kA~500kA，阻断电压达到4500V~7500V，di/dt达到2kA/µS~5kA/µS。 | ||
| 搜索关键词： | 放大门极 芯片 阴极 本实用新型 高功率脉冲 分布区 封接件 晶闸管 管壳 功率半导体器件 脉冲峰值电流 脉冲功率技术 瞬态浪涌电流 晶闸管开通 交叉排布 绝缘胶圈 阳极钼片 阴极钼片 阻断电压 镀金属 交界线 外电极 悬浮式 阴极区 中心区 薄层 硅基 门极 压接 封装 雪花 组装 | ||
【主权项】：
1.一种大尺寸高功率脉冲晶闸管，其特征在于：包括芯片（1）、绝缘胶圈（2）、阴极钼片（3）、阳极钼片（4）、门极组件（5）、管壳上封接件（6）和管壳下封接件（7）；所述芯片（1）为硅基PNPN四层三端结构，包括阳极发射区P型层（8）、长基区N型层（9）、短基区P型层（10）和阴极区N型层（11）；所述芯片（1）两个端面镀金属薄层（13）以连接外电极，其中阴极面的门极（14）、放大门极和阴极（17）同轴，门极（14）位于轴心中心区，门极（14）与放大门极相邻，放大门极包括放大门极中心区（15）和放大门极分布区（16），放大门极分布区（16）与阴极（17）交叉排布；其特征是：所述芯片（1）、绝缘胶圈（2）、阴极钼片（3）、阳极钼片（4）、门极组件（5）、管壳上封接件（6）和管壳下封接件（7）采用悬浮式组装和压接封装；所述芯片（1）直径为4英寸～8英寸；所述放大门极中心区（15）外缘与阴极（17）的阴极区的交界线（18）位于20%芯片（1）直径以外，放大门极分布区（16）呈雪花型排列。
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