[实用新型]集成电路转接板

摘要

本实用新型涉及一种集成电路转接板，包括：硅基衬底101、第一TSV孔102、第二TSV孔103、第一隔离沟槽104、第二隔离沟槽105、第三隔离沟槽106、第一二极管107、第二二极管108、插塞109、金属互连线110、凸点111及隔离层112；所述第一TSV孔102、所述第一隔离沟槽104、所述第一二极管107、所述第二隔离沟槽105、所述第二TSV孔103、所述第三隔离沟槽106及所述第二二极管108沿横向依次间隔地设置于所述硅基衬底101中。本实用新型提供的集成电路转接板，增强了层叠封装芯片的抗静电能力。

主权项

1.一种集成电路转接板(100)，其特征在于，包括：硅基衬底(101)、第一TSV孔(102)、第二TSV孔(103)、第一隔离沟槽(104)、第二隔离沟槽(105)、第三隔离沟槽(106)、第一二极管(107)、第二二极管(108)、插塞(109)、金属互连线(110)、凸点(111)及隔离层(112)；所述第一TSV孔(102)、所述第一隔离沟槽(104)、所述第一二极管(107)、所述第二隔离沟槽(105)、所述第二TSV孔(103)、所述第三隔离沟槽(106)及所述第二二极管(108)沿横向依次间隔地设置于所述硅基衬底(101)中；所述第一TSV孔(102)、所述第二TSV孔(103)、所述第一隔离沟槽(104)、所述第二隔离沟槽(105)及所述第三隔离沟槽(106)均沿纵向贯穿所述硅基衬底(101)；其中，所述第一TSV孔(102)与所述第二TSV孔(103)中填充多晶硅，所述第一隔离沟槽(104)、所述第二隔离沟槽(105)及所述第三隔离沟槽(106)中填充二氧化硅；所述第一二极管(107)与所述第二二极管(108)的阳极设置于所述硅基衬底(101)上部，阴极设置于与所述硅基衬底(101)下部；所述隔离层(112)设置于所述硅基衬底(101)上下表面；所述插塞(109)设置于所述隔离层(112)中并分别位于所述多晶硅、所述第一二极管(107)及所述第二二极管(108)上下表面；所述金属互连线(110)设置于所述隔离层(112)中并经所述插塞(109)使所述第一TSV孔(102)、所述第一二极管(107)、所述第二TSV孔(103)及所述第二二极管(108)串行连接，其中，所述金属互连线(110)为铜；所述凸点(111)设置于所述隔离层(112)中并经所述插塞(109)分别与所述第一TSV孔(102)的下端、所述第二TSV孔(103)的下端、所述第一二极管(107)的阴极及所述第二二极管(108)的阴极相连接；所述硅基衬底(101)厚度为300μm～400μm。