[实用新型]一种半导体激光器有效
| 申请号： | 201721780331.7 | 申请日： | 2017-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN207801149U | 公开（公告）日： | 2018-08-31 |
| 发明（设计）人： | 胡双元;颜建 | 申请（专利权）人： | 苏州矩阵光电有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/00 | 分类号： | H01S5/00 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人： | 马永芬 |
| 地址： | 215614 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及半导体技术领域，提供一种半导体激光器，包括：衬底；并列形成在衬底上的检测组件和发光组件；发光组件中的有源层在检测组件上的投影，落入检测组件中的吸收层的范围内。通过并列设置的检测组件和发光组件，能够降低检测组件与发光组件的对准难度，同时使得该半导体激光器能够自带功率检测功能，使用范围较广；且发光组件中的有源层在检测组件上的投影，落入检测组件中的吸收层的范围内，从发光组件发出的光线沿检测组件与发光组件的排列方向进入检测组件进行检测，即从发光组件发出的光线侧入射进入检测组件的吸收层，延长了光线在检测组件中的路径，进而能够提高检测组件的检测精度。 | ||
| 搜索关键词： | 检测组件 发光组件 半导体激光器 吸收层 衬底 源层 投影 半导体技术领域 功率检测功能 本实用新型 并列设置 排列方向 沿检测 检测 入射 自带 并列 对准 | ||
【主权项】：
1.一种半导体激光器，其特征在于，包括：衬底；并列形成在所述衬底上的检测组件和发光组件；所述发光组件中的有源层在所述检测组件上的投影，落入所述检测组件中的吸收层的范围内。
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