[实用新型]一种硅衬底上N极性面高频GaN整流器外延结构有效
| 申请号： | 201721781485.8 | 申请日： | 2017-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN207925473U | 公开（公告）日： | 2018-09-28 |
| 发明（设计）人： | 王文樑;李国强;李筱婵;李媛 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L29/04 | 分类号： | H01L29/04;H01L29/06;H01L29/861;H01L21/329 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人： | 陈文姬 |
| 地址： | 511458 广东省广州市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了硅衬底上N极性面高频GaN整流器外延结构，包括在硅衬底上依次生长的非掺杂N极性面GaN缓冲层、碳掺杂N极性GaN层、非掺杂N极性面AlxGa1‑xN层、非掺杂N极性面AlN插入层、非掺杂N极性面GaN层、N极性InGaN层；其中x＝0.3～0.8。本实用新型在硅衬底上N极性面高频GaN整流器外延结构能够提高AlxGa1‑xN/GaN异质结界面质量，有效提高后期制备GaN整流器高频性能并有效减小增强型器件制备难度。 | ||
| 搜索关键词： | 极性面 非掺杂 硅衬底 整流器 外延结构 本实用新型 制备 异质结界面 增强型器件 高频性能 碳掺杂 减小 生长 | ||
【主权项】：
1.硅衬底上N极性面高频GaN整流器外延结构，其特征在于，包括在硅衬底上依次生长的非掺杂N极性面GaN缓冲层、碳掺杂N极性GaN层、非掺杂N极性面AlxGa1‑xN层、非掺杂N极性面AlN插入层、非掺杂N极性面GaN层和N极性InGaN层；其中x＝0.3～0.8。
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