[实用新型]一种LED芯片有效
| 申请号： | 201721790897.8 | 申请日： | 2017-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN207818599U | 公开（公告）日： | 2018-09-04 |
| 发明（设计）人： | 尹晓雪 | 申请（专利权）人： | 西安智盛锐芯半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/08 | 分类号： | H01L33/08;H01L33/44 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 黄晶晶 |
| 地址： | 710075 陕西省西安市*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种LED芯片，其中包括，衬底层(11)；灯芯层，灯芯层包括生长在衬底层(11)上的蓝光外延层，蓝光外延层中分别设置相邻的红光灯芯槽和绿光灯芯槽，红光灯芯槽内设置红光外延层，绿光灯芯槽内设置绿光外延层，蓝光外延层、红光外延层和绿光外延层的上表面设置增透膜，电极，电极包括上电极(51)和下电极(52)，上电极(51)设置在增透膜上。本实施例通过将蓝光外延层、红光外延层和绿光外延层集成在衬底层上，蓝色、红色和绿色三色光直接混合发出白光，而不需要增加荧光粉胶层，解决了现有技术中，荧光粉胶层导致光线被反射和吸收的技术问题，其取光效率更高，发光效果更好。 | ||
| 搜索关键词： | 外延层 灯芯 红光 绿光 电极 蓝光 衬底层 荧光粉胶层 增透膜 本实用新型 发光效果 取光效率 直接混合 三色光 上表面 下电极 白光 反射 生长 吸收 | ||
【主权项】：
1.一种LED芯片，其特征在于，包括，衬底层(11)；灯芯层，所述灯芯层包括生长在所述衬底层(11)上的蓝光外延层，所述蓝光外延层中分别设置相邻的红光灯芯槽和绿光灯芯槽，所述红光灯芯槽内设置红光外延层，所述绿光灯芯槽内设置绿光外延层；所述蓝光外延层、红光外延层和绿光外延层的上表面设置增透膜(1001)；电极，所述电极包括上电极(51)和下电极(52)，所述上电极(51)设置在所述增透膜(1001)上。
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