[实用新型]一种舟片间距渐变新型石墨舟有效
申请号: | 201721791009.4 | 申请日: | 2017-12-20 |
公开(公告)号: | CN207690774U | 公开(公告)日: | 2018-08-03 |
发明(设计)人: | 邱江南;王立富;李超;刘庆平;聂世武;邹臻峰 | 申请(专利权)人: | 江西展宇新能源股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/673 | 分类号: | H01L21/673;H01L21/67 |
代理公司: | 南昌恒桥知识产权代理事务所(普通合伙) 36125 | 代理人: | 杨志宇 |
地址: | 334000 江西省*** | 国省代码: | 江西;36 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种舟片间距渐变新型石墨舟,包括第一组舟片、中间舟片和第二组舟片,所述第一组舟片设置于中间舟片顶部以及第二组舟片设置于中间舟片底部,其特征在于:所述第一组舟片、中间舟片和第二组舟片上设有第一通孔,所述第一组舟片、中间舟片和第二组舟片两侧设有第二通孔。本实用新型由于新型石墨舟舟片间距由外侧舟片到中间舟片逐渐变小,因此射频镀膜时对应的电场强度由外侧舟片到中间舟片逐渐变大,这种电场由外到内逐渐变大的电场分布正好补偿了管式PECVD热场由外到内逐渐变小的分布,使得舟内镀膜均匀性极大程度提高并且可以补偿热场分布的不均匀性,因此沉积镀膜工艺的升温稳定时间可一定幅度减少,对应的生产效率变大。 | ||
搜索关键词: | 舟片 新型石墨 本实用新型 逐渐变大 渐变 通孔 镀膜均匀性 不均匀性 电场分布 镀膜工艺 热场分布 生产效率 逐渐变小 电场 镀膜 管式 热场 射频 沉积 | ||
【主权项】:
1.一种舟片间距渐变新型石墨舟,包括第一组舟片(1)、中间舟片(2)和第二组舟片(3),所述第一组舟片(1)设置于中间舟片(2)顶部以及第二组舟片(3)设置于中间舟片(2)底部,其特征在于:所述第一组舟片(1)、中间舟片(2)和第二组舟片(3)上设有第一通孔(4),所述第一组舟片(1)、中间舟片(2)和第二组舟片(3)两侧设有第二通孔(16),所述第一组舟片(1)包括顶部舟片(11)和第一石墨舟片(12),所述第二组舟片(3)包括底部舟片(31)和第二石墨舟片(32),所述顶部舟片(11)和第一石墨舟片(12)之间设有第一陶瓷圈(5),所述第一石墨舟片(12)和第二石墨舟片(32)与中间舟片(2)之间设有第二陶瓷圈(6),所述底部舟片(31)和第二石墨舟片(32)之间设有第三陶瓷圈(7),所述第一陶瓷圈(5)、第二陶瓷圈(6)和第三陶瓷圈(7)内部设有第一陶瓷棒(8),所述第一陶瓷棒(8)与第二通孔(16)活动卡接,所述第一组舟片(1)、中间舟片(2)和第二组舟片(3)两侧设有石墨块(9),所述石墨块(9)上设有开孔(10),所述开孔(10)内设有第二陶瓷棒(13),所述第一陶瓷棒(8)和第二陶瓷棒(13)两端均设有石墨螺母(14)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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