[实用新型]一种半导体器件结终端扩展结构有效
| 申请号： | 201721792124.3 | 申请日： | 2017-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN207743230U | 公开（公告）日： | 2018-08-17 |
| 发明（设计）人： | 何云;刘桂芝;张磊;徐吉 | 申请（专利权）人： | 上海南麟电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 201210 上海市浦东新区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种半导体器件结终端扩展结构，包括：衬底；于衬底上形成外延层；于外延层中形成主结，主结从外延层表面延伸至内部；以及于主结的边缘形成所占的面积从主结的中心向边缘方向呈连续递减分布的梯形开口，于各梯形开口中注入离子，并进行高温退火处理，以形成掺杂浓度沿主结中心向边缘方向连续递减的结终端扩展结构，结终端扩展结构从外延层表面延伸至内部，且位于主结的侧壁。本实用新型使得从主结中心向边缘方向的掺杂区域占终端扩展区域面积的比例呈连续的线性递减分布，从而保证实现浓度连续性降低的横向变掺杂，进而降低主结终端区电场强度峰值，优化半导体器件的反向击穿电压，提高半导体器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 主结 半导体器件 扩展结构 结终端 边缘方向 本实用新型 外延层表面 梯形开口 外延层 衬底 递减 掺杂 反向击穿电压 边缘形成 掺杂区域 高温退火 线性递减 终端扩展 注入离子 终端区 延伸 侧壁 优化 保证 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件结终端扩展结构，其特征在于，所述半导体器件结终端扩展结构至少包括：衬底；位于所述衬底上的外延层；从所述外延层表面延伸至所述外延层内部的主结；以及掺杂浓度沿所述主结中心向边缘方向连续递减的结终端扩展结构，所述结终端扩展结构从所述外延层表面延伸至所述外延层内部，且位于所述主结的侧壁；其中，所述衬底及所述外延层具有第一导电类型，所述主结及所述结终端扩展结构具有第二导电类型。
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