[实用新型]基于GaN材料的RGBW垂直结构LED芯片及LED灯

摘要

本实用新型提供一种基于GaN材料的RGBW垂直结构LED芯片及LED灯，LED芯片包括：第一蓝光发光组件、第一红光发光组件、第一绿光发光组件、白光发光组件、公共正电极组件、第一蓝光发光组件负电极、第一红光发光组件负电极、第一绿光发光组件负电极及白光发光组件负极。本实用新型在单芯片能产生多种颜色的光，荧光粉的用量较少；2.集成度提高，LED成本可以下降；3.色温调节更加灵活。

主权项

1.一种基于GaN材料的RGBW垂直结构LED芯片，其特征在于，包括：第一蓝光发光组件、第一红光发光组件、第一绿光发光组件、白光发光组件、公共正电极组件、第一蓝光发光组件负电极、第一红光发光组件负电极、第一绿光发光组件负电极及白光发光组件负极，其中，所述公共正电极组件设置于所述第一蓝光发光组件、所述第一红光发光组件、所述第一绿光发光组件及所述白光发光组件上，所述第一蓝光发光组件负电极、所述第一红光发光组件负电极、所述第一绿光发光组件负电极分别设置于所述第一蓝光发光组件、所述第一红光发光组件及所述第一绿光发光组件上，所述白光发光组件负极设置于所述白光发光组上；还包括：第一SiO2隔离壁，设置于隔离所述蓝光发光组件与所述红光发光组件之间；第二SiO2隔离壁，设置于隔离所述红光发光组件与所述绿光发光组件之间；白光隔离壁，设置于隔离所述绿光发光组件与所述白光发光组件之间；所述白光发光组件包括第二蓝光发光组件、第二红光发光组件、第二绿光发光组件；所述公共正电极组件包括：第一金属接触层，设置于所述第一蓝光发光组件、所述第一红光发光组件、所述第一绿光发光组件、所述第二蓝光发光组件、所述第二红光发光组件及所述第二绿光发光组件上表面；反光金属层，设置于所述第一金属接触层上；第二金属接触层，设置于所述反光金属层上；导电衬底层，设置于所述第二金属接触层上。