[实用新型]压力传感器有效
| 申请号： | 201721800388.9 | 申请日： | 2017-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN207600634U | 公开（公告）日： | 2018-07-10 |
| 发明（设计）人： | 马清杰;吴多武;许正一 | 申请（专利权）人： | 南京方旭智芯微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | G01L1/22 | 分类号： | G01L1/22;G01L9/04 |
| 代理公司： | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 | 代理人： | 徐丽 |
| 地址： | 210000 江苏省南京市浦口*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型实施例提供的压力传感器包括衬底、所述衬底的表面开设有四个闭环沟槽，所述四个闭环沟槽中的每个闭环沟槽均设置有P型半导体以及阻隔层，所述阻隔层围绕所述P型半导体设置，以通过所述阻隔层阻止所述P型半导体的横向扩散。通过在P型半导体材料的周围设置阻隔层的方式可以有效阻止P型半导体的横向扩散，从而使得本实用新型实施例提供的压力传感器可以在保持PN结结深较深的同时没有较多的横向扩散，实现PN结结深较深的同时，器件面积也较小。 | ||
| 搜索关键词： | 阻隔层 闭环 压力传感器 横向扩散 本实用新型 衬底 结深 表面开设 | ||
【主权项】：
1.一种压力传感器，其特征在于，所述压力传感器包括：衬底、所述衬底的表面开设有四个闭环沟槽，所述四个闭环沟槽中的每个闭环沟槽均设置有P型半导体以及阻隔层，所述阻隔层围绕所述P型半导体设置，以通过所述阻隔层阻止所述P型半导体的横向扩散。
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