[实用新型]太赫兹小型化多功能集成接收机前端

摘要

本实用新型公开了太赫兹小型化多功能集成接收机前端，包括低噪声放大器电路、分谐波混频器电路、本振驱动源电路和金属腔体，所述低噪声放大器电路和分谐波混频器电路均位于金属腔体内的GaAs衬底上，所述金属腔体包括低噪声放大器输入腔、混频器腔和混频器本振输入腔；所述本振驱动源电路位于本振驱动源腔内的GaAs衬底上，本振驱动源腔垂直安装在混频器本振输入腔上。本实用新型通过上述结构，将低噪声放大器、混频器和本振驱动源在同一个基片和腔体内进行加工，可同时实现低噪声放大、倍频和混频多个功能，极大降低太赫兹接收机的成本及复杂度，实现了太赫兹接收机前端的小型化，有效简化电路设计和加工，节约成本、减少内部损耗。

主权项

1.太赫兹小型化多功能集成接收机前端，其特征在于，包括低噪声放大器电路、分谐波混频器电路、本振驱动源电路和金属腔体，所述低噪声放大器电路和分谐波混频器电路均位于金属腔体内的GaAs衬底(2)上，所述金属腔体包括低噪声放大器输入腔(1)、混频器腔(21)和混频器本振输入腔(15)，低噪声放大器输入腔(1)与混频器腔(21)连接，在混频器腔(21)y轴延伸线上还垂直横穿混频器本振输入腔(15)，在混频器腔(21)内的分谐波混频器电路上的本振过渡段(16)位于混频器本振输入腔(15)，所述低噪声放大器电路位于低噪声放大器输入腔(1)，分谐波混频器电路位于混频器腔内，低噪声放大器电路和分谐波混频器电路之间通过共面波导‑微带线过渡结构(12)连接，低噪声放大器电路还通过直流供电金丝(8)与微带线电路(11)连接；所述低噪声放大器电路包括两块设置在GaAs衬底(2)上表面的上层接地金属(3)，两块上层接地金属(3)位于传输线(6)的两侧，在两块上层接地金属(3)之间桥接多根平行设置的地‑地空气桥(5)，在两块上层接地金属(3)之间水平横穿传输线(6)，传输线(6)的一端连接射频‑共面波导输入探针(19)，传输线(6)另一端连接共面波导‑微带线过渡结构(12),在传输线(6)上还安装多个晶体管(7)，多个晶体管(7)的栅极通过同一块晶体管栅极供电焊盘(9)供电，多个晶体管(7)的漏极通过同一块晶体管漏极供电焊盘(10)供电，多个晶体管(7)的源极均接地，晶体管栅极供电焊盘(9)和晶体管漏极供电焊盘(10)均通过直流供电金丝(8)与微带线电路(11)连接，在每块上层接地金属(3)上还均匀设置两排连接两块上层接地金属并用于抑制GaAs衬底平板模式并镀Au\Pt的过孔(4)，过孔(4)布满整个上层接地金属(3)；所述本振驱动源电路位于本振驱动源腔(22)内的GaAs衬底上，本振驱动源腔(22)垂直安装在混频器本振输入腔(15)上，本振驱动源电路上的倍频器射频过渡段(27)插入混频器本振输入腔(15)内，在本振驱动源腔(22)上还垂直横穿倍频器本振输入腔(26)，带有本振驱动源电路的GaAs衬底垂直横穿倍频器本振输入腔(26)。