[实用新型]一种SQUID平面梯度计芯片的封装结构有效
| 申请号： | 201721811773.3 | 申请日： | 2017-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN207624699U | 公开（公告）日： | 2018-07-17 |
| 发明（设计）人： | 张国峰;王永良;张雪;荣亮亮;王镇;谢晓明 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L27/18 | 分类号： | H01L27/18;H01L39/04;H01L39/24;G01R33/035 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种SQUID平面梯度计芯片的封装结构，所述封装结构包括：SQUID平面梯度计芯片；设置于所述SQUID平面梯度计芯片下方的至少一层缓冲层；设置于所述缓冲层下方的基板；形成于所述基板上、且与所述SQUID平面梯度计芯片的电极电性连接的引出电极；以及设置于所述基板上的封装盖板，其中，所述SQUID平面梯度计芯片及所述缓冲层均封装于所述封装盖板内。通过本实用新型提供的SQUID平面梯度计芯片的封装结构，解决了现有SQUID平面梯度计芯片封装结构的不平衡度指标较差的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 梯度计 芯片 封装结构 缓冲层 基板 本实用新型 封装盖板 芯片封装结构 不平衡度 电极电性 引出电极 封装 | ||
【主权项】：
1.一种SQUID平面梯度计芯片的封装结构，其特征在于，所述封装结构包括：SQUID平面梯度计芯片；设置于所述SQUID平面梯度计芯片下方的至少一层缓冲层；设置于所述缓冲层下方的基板；形成于所述基板上、且与所述SQUID平面梯度计芯片的电极电性连接的引出电极；以及设置于所述基板上的封装盖板，其中，所述SQUID平面梯度计芯片及所述缓冲层均封装于所述封装盖板内。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
