[实用新型]低功耗宽频带二倍频器电路

摘要

本实用新型涉及一种低功耗宽频带二倍频器电路。现有频率源频率比较低限制了其在射频通信系统中的应用，通过压控振荡器级联倍频器的方法实现高频频率源。本实用新型包括一个push‑push结构、一个输入巴伦、两个匹配网络；push‑push结构由两个HBT三极管构成，输入巴伦是通过将两层金属上下层耦合的方式来实现，两个匹配网络包括输入匹配网络和输出匹配网络。本实用新型实现了较宽的频率工作范围和低功耗的性能。

主权项

1.低功耗宽频带二倍频器电路，其特征在于包括一个push‑push结构、一个输入巴伦，两个匹配网络；第一HBT管T1和第二HBT管T2构成push‑push结构，其中第一HBT管T1的集电极与第二HBT管T2的集电极连接，作为输出端Vout；第一HBT管T1的射极和第二HBT管T2的射极相连，然后接地；第一HBT管T1的基极和巴伦TR1次级的同相输出端B2P相连，第二HBT管T2的基极和巴伦次级的反相输出端B2N相连；输入匹配电容C1一端和输入信号相连，另一端和巴伦初级的同相输入端B1P相连；巴伦初级的反向输入端B1N接地；输出匹配电容C2一端和push‑push结构的输出端Vout相连，另一端作为整个电路的输出端；第一匹配电感L1一端接第一HBT管T1的集电极，另一端与第二滤波电容C4一端连接后接偏置电压Vcc；第二匹配电感L2一端接第二HBT管T2的集电极，另一端与第四滤波电容C6一端连接后接偏置电压Vcc；第一偏置电阻R1一端接第一HBT管T1的基极，另一端与第一滤波电容C3一端连接后接偏置电压Vb；第二偏置电阻R2一端接第二HBT管T2的基极，另一端与第三滤波电容C5一端连接后接偏置电压Vb；第一滤波电容C3另一端、第二滤波电容C4另一端、第三滤波电容C5另一端、第四滤波电容C6另一端均接地。