[实用新型]一种磁控溅射式物理气相沉积设备有效
| 申请号： | 201721834822.5 | 申请日： | 2017-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN207581922U | 公开（公告）日： | 2018-07-06 |
| 发明（设计）人： | 杨肸曦 | 申请（专利权）人： | 君泰创新（北京）科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/08 |
| 代理公司： | 北京维澳专利代理有限公司 11252 | 代理人： | 周放;解立艳 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区北京经*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种磁控溅射式物理气相沉积设备，包括工艺腔室、溅射组件、等离子体产生组件和氧气设备；溅射组件设置在工艺腔室的第一侧壁上，溅射组件包括支撑件；等离子体产生组件设在与第一侧壁相垂直的第二侧壁上，等离子体产生组件包括电子枪和氩气设备；电子枪向工艺腔室中发射电子，氩气设备向工艺腔室中充入氩气；氧气设备向工艺腔室中充入氧气。等离子体产生组件和溅射组件设置在工艺腔室相互垂直的两个侧壁上，避免等离子体产生组件射出的等离子体直接轰击基片的表面，降低了对基片的冲击力，从而提高了基片的膜层的沉积质量，提高了沉积效率。 | ||
| 搜索关键词： | 工艺腔室 等离子体产生组件 溅射 氩气 物理气相沉积设备 磁控溅射 第一侧壁 氧气设备 组件设置 垂直的 电子枪 等离子体 本实用新型 沉积效率 第二侧壁 发射电子 组件包括 支撑件 侧壁 膜层 射出 沉积 轰击 冲击力 氧气 | ||
【主权项】：
1.一种磁控溅射式物理气相沉积设备，其特征在于，包括：工艺腔室；溅射组件，所述溅射组件设置在所述工艺腔室的第一侧壁上，所述溅射组件包括用于支撑靶材的支撑件；等离子体产生组件，设置在所述工艺腔室的第二侧壁上，所述第二侧壁与所述第一侧壁相垂直，所述等离子体产生组件包括电子枪和氩气设备；所述电子枪向所述工艺腔室中发射电子，所述氩气设备向所述工艺腔室中充入氩气；氧气设备，所述氧气设备向所述工艺腔室中充入氧气。
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