[实用新型]瞬态电压抑制器有效

专利信息
申请号: 201721843260.0 申请日: 2017-12-25
公开(公告)号: CN207834305U 公开(公告)日: 2018-09-07
发明(设计)人: 周源;郭艳华;李明宇;张欣慰 申请(专利权)人: 北京燕东微电子有限公司
主分类号: H01L29/06 分类号: H01L29/06;H01L27/02
代理公司: 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 代理人: 蔡纯;张靖琳
地址: 100015 北京市*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 实用新型公开了瞬态电压抑制器,瞬态电压抑制器包括:第一掺杂类型的半导体衬底;第一掺杂类型的第一外延层;第一掺杂类型的第二外延层,设置于半导体衬底的第一表面之上以覆盖第一外延层;多个第一掺杂区,形成于半导体衬底内;多个第二掺杂区,各个第二掺杂区形成于第二外延层内或穿过第二外延层与对应的第一掺杂区相连,多个第一掺杂区、多个第二掺杂区、半导体衬底以及第二外延层用于形成双向抑制电路,双向抑制电路包括第一整流二极管、第二整流二极管、第一瞬态抑制二极管和第二瞬态抑制二极管。本实用新型提供的瞬态电压抑制器具有双向瞬态电压抑制功能,电容低、体积小、制成简单,且能够从正反两面分别引出电极。
搜索关键词: 掺杂区 外延层 瞬态电压抑制器 衬底 半导体 掺杂类型 瞬态抑制二极管 本实用新型 整流二极管 抑制电路 双向瞬态电压抑制 第一表面 引出电极 正反两面 体积小 电容 穿过 覆盖
【主权项】:
1.一种瞬态电压抑制器,其特征在于,包括:第一电极和第二电极;第一掺杂类型的半导体衬底,所述半导体衬底与所述第二电极相连;第一掺杂类型的第一外延层,所述第一外延层设置于所述半导体衬底的第一表面以作为牺牲层;第一掺杂类型的第二外延层,设置于所述半导体衬底的第一表面之上以覆盖所述第一外延层;多个第一掺杂区,各个所述第一掺杂区形成于所述半导体衬底内;多个第二掺杂区,各个所述第二掺杂区形成于所述第二外延层内或穿过所述第二外延层与对应的所述第一掺杂区相连,所述多个第一掺杂区、所述多个第二掺杂区、所述半导体衬底以及所述第二外延层用于形成双向抑制电路,所述双向抑制电路包括第一整流二极管、第二整流二极管、第一瞬态抑制二极管和第二瞬态抑制二极管,其中,所述第一整流二极管的阳极与所述第二整流二极管的阴极相连以作为所述第一电极,所述第一瞬态抑制二极管的阳极、所述第二瞬态抑制二极管的阳极以及所述第二整流二极管的阳极相连,所述半导体衬底作为所述第二瞬态抑制二极管的阴极,所述第一整流二极管的阴极与所述第一瞬态抑制二极管的阴极相连。
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