[实用新型]一种外延片

摘要

本实用新型提供的一种外延片，包括GaAs衬底，在GaAs衬底上依次外延生长缓冲层、AlGaAs/AlAs(DBR)反射层、n‑AlInP限制层、n‑AlGaInP波导层、突变MQW有源层、渐变MQW有源层、p‑AlGaInP波导层、p‑AlInP限制层和p‑GaP电流扩展层；突变MQW有源层和渐变MQW有源层材料为AlGaInP。本实用新型公开的一种外延片，通过对突变量子阱和渐变量子阱的组合设计，限制电子在量子阱结构中的快速移动，增强空穴载流子的移动能力，从而提高电子与空穴载流子的复合几率，能提高LED芯片的内量子发光效率。

主权项

1.一种外延片，其特征在于：包括GaAs衬底(100)，在所述GaAs衬底(100)上依次外延生长缓冲层(101)、AlGaAs/AlAs(DBR)反射层(102)、n‑AlInP限制层(103)、n‑AlGaInP波导层(104)、突变MQW有源层(105)、渐变MQW有源层(106)、p‑AlGaInP波导层(107)、p‑AlInP限制层(108)和p‑GaP电流扩展层(109)；所述突变MQW有源层(105)和渐变MQW有源层(106)材料为AlGaInP。