[实用新型]一种高抗机械载荷晶硅电池有效
| 申请号： | 201721847974.9 | 申请日： | 2017-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN208271913U | 公开（公告）日： | 2018-12-21 |
| 发明（设计）人： | 刘苗;严金梅;赵江雷;王松;许志卫 | 申请（专利权）人： | 晶澳太阳能有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224;H01L31/18 |
| 代理公司： | 广州知友专利商标代理有限公司 44104 | 代理人： | 李海波;刘艳丽 |
| 地址： | 055550 河北*** | 国省代码： | 河北;13 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型公开了一种高抗机械载荷晶硅电池，所述晶硅电池的背面电极包括多列相平行分布的栅线，每列栅线包括六段或八段相间隔设置的子栅线，每个子栅线的两端与所述背面电场之间设有间隙。该晶硅电池通过对背面电极以及激光开槽的结构调整，从而可以避免焊接过程中背面电极位置受力不均匀以及激光损伤加剧背面电极应力作用使电池更容易发生脆性断裂的情况，并从这两个方面来实现降低组件端碎片率以及提升组件抗机械载荷能力。 | ||
| 搜索关键词： | 背面电极 晶硅电池 机械载荷 子栅线 高抗 栅线 机械载荷能力 本实用新型 背面电场 脆性断裂 焊接过程 激光开槽 激光损伤 间隔设置 结构调整 平行分布 提升组件 应力作用 不均匀 碎片率 多列 受力 电池 | ||
【主权项】：
1.一种高抗机械载荷晶硅电池，其特征是：所述晶硅电池的背面电极包括多列相平行分布的栅线，每列栅线包括六段或八段相间隔设置的子栅线，每个子栅线的两端与背面电场之间设有间隙。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于晶澳太阳能有限公司，未经晶澳太阳能有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201721847974.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
