[实用新型]一种GaN功率器件的驱动系统有效

专利信息
申请号: 201721852447.7 申请日: 2017-12-25
公开(公告)号: CN207706042U 公开(公告)日: 2018-08-07
发明(设计)人: 高圣伟;苏佳;李龙女;刘晓明;祁树岭;段尧文;路鑫 申请(专利权)人: 天津工业大学
主分类号: H02M1/08 分类号: H02M1/08
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 300387 *** 国省代码: 天津;12
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摘要: 实用新型涉及一种GaN功率器件的驱动系统,主要包括有控制电路1、谐振电路以及无损缓冲电路3,谐振电路还包括开通谐振电路2和关断谐振电路4,通过上下两条不同的充放电回路,使得此驱动电路具有提供不对称的输出能力。利用谐振原理在开关管关断过程中通过L将存储在C中的能量反馈到电源中,使能量得到有效利用,同时加入无损缓冲电路来减缓电压的上升速度,在一定程度上保护了GaN功率器件,解决了GaN功率器件驱动电路的高损耗问题。
搜索关键词: 谐振电路 无损缓冲电路 驱动电路 驱动系统 本实用新型 充放电回路 关断过程 控制电路 能量反馈 输出能力 谐振原理 不对称 高损耗 开关管 关断 电源 存储 开通
【主权项】:
1.一种GaN功率器件的驱动系统,其特征在于,包括控制电路1,开通谐振电路2,关断谐振电路4,无损缓冲电路3,所述的控制电路1用于产生两路PWM信号,辅助开关管Q1和Q2导通;所述的开通谐振电路2由D1、L1和R1组成,用来实现主开关管T1开通;所述的关断谐振电路4由D2、L2和R2组成,用来实现主开关管T1关断;所述的无损缓冲电路3用来减缓主开关管T1漏极电压的上升速度,对主开关管T1起到保护作用。
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