[实用新型]多层钝化保护复合结构芯片有效
| 申请号： | 201721856628.7 | 申请日： | 2017-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN207558776U | 公开（公告）日： | 2018-06-29 |
| 发明（设计）人： | 徐明星;史国顺;夏冬生;周猛 | 申请（专利权）人： | 山东芯诺电子科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/29 | 分类号： | H01L23/29 |
| 代理公司： | 青岛发思特专利商标代理有限公司 37212 | 代理人： | 卢登涛 |
| 地址： | 272100 山东省济*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本实用新型公开一种多层钝化保护复合结构芯片，属于半导体芯片技术领域，包括芯片基底，芯片基底通过湿法蚀刻形成沟槽，沟槽的外侧与芯片基底之间设有PN结，沟槽的上方设有钝化膜保护层，钝化膜保护层覆盖在沟槽的外部，钝化膜保护层包括多层，从上到下依次为低温氧化膜层、中温氧化膜层、掺氧半绝缘多晶硅薄膜层、多晶硅薄膜层，本实用新型能够实现对裸漏PN结面的多层保护，提高钝化的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 芯片 保护层 钝化膜 多层 基底 本实用新型 钝化保护 复合结构 掺氧半绝缘多晶硅 多晶硅薄膜层 半导体芯片 低温氧化膜 从上到下 多层保护 湿法蚀刻 氧化膜层 薄膜层 钝化 中温 外部 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种多层钝化保护复合结构芯片，包括芯片基底(7)，其特征在于：所述的芯片基底(7)上通过蚀刻形成沟槽(8)，沟槽(8)的外侧与芯片基底(7)之间设有PN结(6)，沟槽的上方设有钝化膜保护层，钝化膜保护层覆盖在沟槽(8)的外部，钝化膜保护层包括多层，从上到下依次为第一层氧化膜层(2)、第二层氧化膜层(3)、掺氧半绝缘多晶硅薄膜层(4)、多晶硅薄膜层(5)。
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