[实用新型]晶圆处理装置有效
| 申请号： | 201721857045.6 | 申请日： | 2017-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN207558768U | 公开（公告）日： | 2018-06-29 |
| 发明（设计）人： | 梁倪萍;陈伏宏;刘家桦 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/673 | 分类号： | H01L21/673 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 孙佳胤 |
| 地址： | 223300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种晶圆处理装置。所述晶圆处理装置，包括两相对设置的侧壁，每一侧壁沿竖直方向设置有上层支架和下层支架，所述上层支架用于放置去胶前的晶圆，所述下层支架用于放置去胶后的晶圆；还包括设置于所述上层支架与下层支架之间的隔板，且所述隔板的两相对端分别与两侧壁连接，以隔离所述上层支架与所述下层支架。本实用新型从根本上避免了去胶前晶圆与去胶后晶圆之间的交叉污染，在增强晶圆品质的同时，也提高了晶圆的生产效率。 | ||
| 搜索关键词： | 晶圆 上层支架 下层支架 去胶 晶圆处理装置 隔板 本实用新型 半导体制造技术 处理装置 方向设置 交叉污染 生产效率 相对设置 两侧壁 相对端 壁沿 侧壁 竖直 种晶 隔离 | ||
【主权项】：
1.一种晶圆处理装置，包括两相对设置的侧壁，每一侧壁沿竖直方向设置有上层支架和下层支架，所述上层支架用于放置去胶前的晶圆，所述下层支架用于放置去胶后的晶圆；其特征在于，还包括设置于所述上层支架与下层支架之间的隔板，且所述隔板的两相对端分别与两侧壁连接，以隔离所述上层支架与所述下层支架。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
