[实用新型]具有低米勒电容的IGBT器件有效
| 申请号： | 201721860534.7 | 申请日： | 2017-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN207818574U | 公开（公告）日： | 2018-09-04 |
| 发明（设计）人： | 牛博;姜梅;许生根;姚阳 | 申请（专利权）人： | 江苏中科君芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/423;H01L23/552 |
| 代理公司： | 苏州国诚专利代理有限公司 32293 | 代理人： | 韩凤 |
| 地址： | 214135 江苏省无锡市新区菱*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种具有低米勒电容的IGBT器件，其元胞结构包括第二导电类型体区、第一导电类型源区以及栅极多晶硅体，栅极多晶硅体包括屏蔽栅以及控制栅，控制栅、屏蔽栅分别通过控制栅氧化层、屏蔽栅氧化层与第一导电类型外延层间隔；所述控制栅与下方的第二导电类型体区、第一导电类型源区交叠，屏蔽栅位于第二类型体区之间；在所述第一导电类型外延层上方还设置发射极金属，所述发射极金属与第二导电类型体区、第一导电类型源区以及屏蔽栅欧姆接触，且发射极金属通过绝缘介质层与控制栅绝缘隔离。本实用新型结构紧凑，能有效降低IGBT器件的米勒电容，提高IGBT开关速度，从而降低IGBT器件的功耗，安全可靠。 | ||
| 搜索关键词： | 第一导电类型 控制栅 屏蔽栅 体区 发射极金属 导电类型 米勒电容 源区 本实用新型 栅极多晶硅 外延层 屏蔽栅氧化层 绝缘介质层 绝缘隔离 欧姆接触 元胞结构 氧化层 功耗 交叠 | ||
【主权项】：
1.一种具有低米勒电容的IGBT器件，包括半导体基板，所述半导体基板包括第一导电类型外延层以及设置于所述第一导电类型外延层上的元胞结构；其特征是：在所述IGBT器件的截面上，元胞结构包括对称分布于第一导电类型外延层内的第二导电类型体区，在每个第二导电类型体区内设置第一导电类型源区；在第一导电类型外延层上方设置栅极多晶硅体，所述栅极多晶硅体包括屏蔽栅以及对称分布于所述屏蔽栅两侧的控制栅，所述控制栅、屏蔽栅分别通过控制栅氧化层、屏蔽栅氧化层与第一导电类型外延层间隔；所述控制栅与下方的第二导电类型体区、第一导电类型源区交叠，屏蔽栅位于第二类型体区之间；在所述第一导电类型外延层上方还设置发射极金属，所述发射极金属与第二导电类型体区、第一导电类型源区以及屏蔽栅欧姆接触，且发射极金属通过绝缘介质层与控制栅绝缘隔离。
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