[实用新型]一种半曲面CMOS传感器和摄像头有效
申请号: | 201721860811.4 | 申请日: | 2017-12-27 |
公开(公告)号: | CN207782950U | 公开(公告)日: | 2018-08-28 |
发明(设计)人: | 花亚红 | 申请(专利权)人: | 信利光电股份有限公司 |
主分类号: | H04N5/225 | 分类号: | H04N5/225;H04N5/374 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 张春水;唐京桥 |
地址: | 516600 广东省汕*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本实用新型实施例公开了一种半曲面CMOS传感器和摄像头,所述半曲面CMOS传感器为凹状结构,所述半曲面CMOS传感器的中心下凹处为非弯曲平面,所述半曲面CMOS传感器的边缘凸起处为预置曲率的曲面。本实用新型中的半曲面CMOS传感器只有边缘处为预置曲率的曲面,中心处与平面CMOS传感器一致皆为非弯曲平面,因此本实用新型中的半曲面CMOS传感器不仅可以像曲面CMOS传感器一样减小边缘处的畸变,改善边缘画质,虽然中心处依然存在微小的光程差差异,但是可以忽略不计,同时因为中心处为平面,所以依然可以根据需要搭配不同的镜头,如广角镜头和长焦镜头,解决了当前的曲面CMOS传感器无法根据需要更换镜头以满足用户的不同需要的技术问题。 | ||
搜索关键词: | 本实用新型 中心处 曲率 摄像头 弯曲平面 边缘处 预置 广角镜头 凹状结构 边缘凸起 长焦镜头 更换镜头 光程差 画质 畸变 减小 下凹 搭配 镜头 | ||
【主权项】:
1.一种半曲面CMOS传感器,其特征在于,所述半曲面CMOS传感器为凹状结构,所述半曲面CMOS传感器的中心下凹处为非弯曲平面,所述半曲面CMOS传感器的边缘凸起处为预置曲率的曲面。
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