[实用新型]一种桥式整流二极管

摘要

本实用新型公开了一种桥式整流二极管，硅晶片尺寸为3.3mm×3.3mm，有源区尺寸2.71mm×2.71mm，低掺杂的N型硅衬底上设有高掺杂的P型硅基层、高掺杂的N型硅扩散层和高掺杂的P型硅基环，所述高掺杂的P型硅基环位于高掺杂的P型硅基层和高掺杂的N型硅扩散层之间；低掺杂的N型硅衬底和高掺杂的P型硅基层形成PN结；所述低掺杂的N型硅衬底呈圆角长方体状，N型硅衬底的背面沉积金属V作为阴极，所述N型硅衬底、高掺杂的P型硅基层、高掺杂的N型硅扩散层和高掺杂的P型硅基环上设有石墨烯层；高掺杂的P型硅基层、高掺杂的N型硅扩散层和石墨烯层上沉积金属Al作为阳极；阴极金属电极和阳极金属电极外设有保护膜。本实用新型的二极管尺寸小，反向击穿电压高。

主权项

1.一种桥式整流二极管，硅晶片尺寸为3.3mm×3.3mm，有源区尺寸2.71mm×2.71mm，低掺杂的N型硅衬底上设有高掺杂的P型硅基层、高掺杂的N型硅扩散层和高掺杂的P型硅基环，所述高掺杂的P型硅基环位于高掺杂的P型硅基层和高掺杂的N型硅扩散层之间；低掺杂的N型硅衬底和高掺杂的P型硅基层形成PN结；所述低掺杂的N型硅衬底呈圆角长方体状，其特征在于，所述N型硅衬底的背面沉积金属V作为阴极，所述N型硅衬底、高掺杂的P型硅基层、高掺杂的N型硅扩散层和高掺杂的P型硅基环上设有石墨烯层；高掺杂的P型硅基层、高掺杂的N型硅扩散层和石墨烯层上沉积金属Al作为阳极；阴极金属电极和阳极金属电极外设有保护膜；所述石墨烯层宽275μm；所述高掺杂的P型硅基环有两个，所述N型硅衬底上有三个环形结构，环形结构曲率为235μm；三个环形结构外环为高掺杂的N型硅扩散层，以及高掺杂的P型硅基层和外环高掺杂的N型硅扩散层中间的两个高掺杂的P型硅基环，从外到内依次为第一硅基环和第二硅基环；所述外环高掺杂的N型硅发射层宽度为50μm，两个硅基环的宽度为15μm；外环高掺杂的N型硅发射层、第一硅基环、第二硅基环、高掺杂的P型硅基层间横向距离依次为100μm、60μm、55μm；所述桥式整流二极管硅晶片厚度为252μm，所述高掺杂的P型硅基层和高掺杂的P型硅基环深度为62μm，所述高掺杂的N型硅扩散层深度为18μm；所述低掺杂的N型硅衬底电阻率为50Ω·cm，厚度190μm。