[实用新型]一种场效应晶体管式磁传感器有效
| 申请号： | 201721884813.7 | 申请日： | 2017-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN207781649U | 公开（公告）日： | 2018-08-28 |
| 发明（设计）人： | 巫远招;刘宜伟;李润伟 | 申请（专利权）人： | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 |
| 主分类号： | H01L41/06 | 分类号： | H01L41/06;H01L41/12;H01L41/47 |
| 代理公司： | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人： | 陈英俊 |
| 地址： | 315201 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种场效应晶体管式磁传感器，具有场效应晶体管结构，包括半导体基底，源极、漏极与栅极；其中，半导体基底由具有磁致伸缩效应的基底层与具有压电效应的半导体层组成，并且半导体层位于该基底层表面，基底层与半导体层之间电绝缘。该磁传感器结构简单，工作状态时，外界磁场作用于基底层时场效应晶体管的电信号发生改变，通过测试该电信号实现磁场的探测，并且由于结合了场效应晶体管的信号放大作用，能够实现高灵敏度的磁场探测。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应晶体管 半导体层 基底层 半导体基底 磁传感器 场效应晶体管结构 磁传感器结构 磁致伸缩效应 信号放大作用 本实用新型 基底层表面 效应晶体管 磁场探测 高灵敏度 外界磁场 压电效应 电绝缘 漏极 源极 磁场 探测 测试 | ||
【主权项】：
1.一种场效应晶体管式磁传感器，其特征是：包括半导体基底，以及与半导体基底相电连接的源极、漏极与栅极；其中，半导体基底由具有磁致伸缩效应的基底层与具有压电效应的半导体层组成，并且半导体层位于该基底层表面，基底层与半导体层之间电绝缘。
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