[实用新型]双向低电容TVS器件

摘要

公开了一种双向低电容TVS器件，包括：第一导电类型衬底；位于其上的第一导电类型外延层；位于其中的第一导电类型埋层、第二导电类型埋层；位于第一导电类型外延层上的第二导电类型外延层、贯穿第二导电类型外延层的多个隔离结构形成第一区域和第二区域；位于第二区域中的第二导电类型阱区；位于第一区域和第二导电类型阱区中的第一导电类型注入区。进一步地，在双向低电容TVS器件中形成的第一普通二极管与第一稳压二极管纵向串联以及第二普通二极管与第二稳压二极管纵向串联，降低双向低电容TVS器件的体积，能够较大地减小电容，使电源Vcc对地GND的电容可以达到小于0.9pF，正、反向ESD能力都可以达到大于15kV。

主权项

1.一种双向低电容TVS器件，其特征在于，包括：第一导电类型衬底；第一导电类型外延层，所述第一导电类型外延层形成于所述第一导电类型衬底上；第一导电类型埋层，所述第一导电类型埋层形成于所述第一导电类型外延层中；第二导电类型埋层，所述第二导电类型埋层形成于所述第一导电类型埋层上；第二导电类型外延层，所述第二导电类型外延层形成于所述第一导电类型外延层上；多个隔离结构，所述多个隔离结构贯穿所述第二导电类型外延层，所述多个隔离结构将所述第二导电类型外延层分为多个区域，所述多个区域包括第一区域和第二区域；第二导电类型阱区，所述第二导电类型阱区形成于所述第二区域中；第一导电类型注入区，所述第一导电类型注入区形成于所述第一区域和所述第二导电类型阱区中。