[实用新型]一种IGBT器件有效
| 申请号： | 201721904369.0 | 申请日： | 2017-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN207966999U | 公开（公告）日： | 2018-10-12 |
| 发明（设计）人： | 秦旭光;黄继颇;陆均尧 | 申请（专利权）人： | 安徽赛腾微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/10;H01L29/423;H01L29/49;H01L29/739;H01L21/28;H01L21/331 |
| 代理公司： | 芜湖安汇知识产权代理有限公司 34107 | 代理人： | 朱圣荣 |
| 地址： | 241003 安徽省芜湖市高新区中*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型揭示了一种IGBT器件，半导体基板中心区设有元胞区，半导体基板的第一主面设有包围环绕元胞区的终端保护区，半导体基板的第二主面上方设有第二导电类型集电极区，第二导电类型集电极区的上方设有第一导电类型场终止层，元胞区内的元胞设有沟槽结构，元胞沟槽由第一主面经第二导电类型阱层延伸至半导体基板内的第一导电类型外延层内，元胞沟槽内填充有栅极导电多晶硅，栅极导电多晶硅与元胞沟槽内壁之间设有绝缘栅氧化层。本实用新型延长了沟道长度，降低了饱和电流，从而提高了Tsc，增加了短路电流安全工作区，此外，本实用新型沟槽下方采用超结结构，可以降低漂移区电阻率，从而降低Vce。同时在器件关断时，因超结结构可以加速载流子抽取速度，从而降低Eoff。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体基板 本实用新型 元胞沟槽 栅极导电多晶硅 第一导电类型 超结结构 导电类型 集电极区 元胞区 元胞 主面 绝缘栅氧化层 安全工作区 导电类型阱 加速载流子 终端保护区 饱和电流 场终止层 短路电流 沟槽结构 电阻率 漂移区 外延层 中心区 沟道 关断 内壁 填充 抽取 环绕 包围 延伸 | ||
【主权项】：
1.一种IGBT器件，在所述IGBT器件的发射极的俯视平面上，包括位于半导体基板的元胞区和终端保护区，所述终端保护区位于元胞区的外圈，且终端保护区环绕包围元胞区，所述元胞区内包括若干规则排布且相互平行并联设置的元胞，在所述IGBT器件的截面上，半导体基板具有相对应的第一主面与第二主面，所述第二主面上方设有一层第二导电类型集电极区，所述第二导电类型集电极区上方设有第一导电类型场终止层，其特征在于：所述元胞区内的元胞设有沟槽结构，第一导电类型外延层内的上部设有第二导电类型阱层，元胞沟槽由第一主面经第二导电类型阱层延伸至半导体基板内的第一导电类型外延层内，所述元胞沟槽内填充有栅极导电多晶硅，所述栅极导电多晶硅覆盖至元胞沟槽槽口附近的第一主面上方，形成T型槽栅导电多晶硅，所述T型槽栅导电多晶硅与第一主面以及元胞沟槽内壁之间均设有绝缘栅氧化层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于安徽赛腾微电子有限公司，未经安徽赛腾微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201721904369.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
