[发明专利]半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201780000314.3 | 申请日： | 2017-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN107533972B | 公开（公告）日： | 2020-07-24 |
| 发明（设计）人： | 小笠原淳;伊东浩二 | 申请（专利权）人： | 新电元工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/316 | 分类号： | H01L21/316;C03C8/16;H01L21/329;H01L29/868 |
| 代理公司： | 上海德昭知识产权代理有限公司 31204 | 代理人： | 郁旦蓉 |
| 地址： | 日本国东京都千*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 半导体装置的制造方法，包含：半导体晶片准备工序，准备在玻璃覆盖膜形成面上形成有台面沟槽的半导体晶片；以及玻璃覆盖膜形成工序，在使无铅玻璃微粒子悬浮于溶媒的悬浮液中，将第一电极板与第二电极板以在所述悬浮液中浸渍后的状态对向设置，同时，在所述第一电极板与所述第二电极板之间将所述半导体晶片以所述玻璃覆盖膜形成面朝向所述第一电极板一侧的状态，通过电泳沉积法在所述玻璃覆盖膜形成面上形成玻璃覆盖膜。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置的制造方法，包括：半导体晶片准备工序，准备在玻璃覆盖膜形成面上形成有台面沟槽的半导体晶片；以及玻璃覆盖膜形成工序，在使无铅玻璃微粒子悬浮于溶媒的悬浮液中，将第一电极板与第二电极板以在所述悬浮液中浸渍后的状态对向设置，同时，在所述第一电极板与所述第二电极板之间将所述半导体晶片以所述玻璃覆盖膜形成面朝向所述第一电极板一侧的状态，通过电泳沉积法在所述玻璃覆盖膜形成面上形成玻璃覆盖膜，其特征在于：其中，在所述玻璃覆盖膜形成工序中使用的所述悬浮液为：在将含有所述无铅玻璃微粒子的所述溶媒的介电常数控制在第一范围内后，在该溶媒中，加入表面活性剂、水、以及作为含有有机溶剂与硝酸的混合液的电解质溶液，从而将其导电系数控制在第二范围内，所述溶媒的介电常数的所述第一范围为7～11，所述悬浮液的导电系数的所述第二范围为100nS/cm～400nS/cm，所述电解质溶液的导电系数的所述第三范围为90μs/cm～130μs/cm。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
