[发明专利]一种基于MOS场效应晶体管的滤波电路及芯片

摘要

本申请部分实施例提供了一种基于MOS场效应晶体管的滤波电路及芯片。该滤波电路包括第一MOS场效应晶体管和静电释放单元；在正常工作时，第一MOS场效应晶体管的栅极与衬底之间形成滤波电容；在发生ESD事件时，静电释放电元与第一MOS场效应晶体管形成将聚集的静电电荷转移至地的放电通路。本申请的实施例在第一MOS场效应晶体管的基础上，增设了静电释放单元，从而将电源与地之间同时需要的电容特性及ESD放电通路的特性结合至同一电路中，使该电路在正常工作时呈现电容特性；在电源与地之间发生ESD事件时提供ESD放电通路，起到ESD保护的作用，从而提升芯片的ESD能力。

主权项

一种基于MOS场效应晶体管的滤波电路，其特征在于，包括第一MOS场效应晶体管和静电释放单元；在正常工作时，所述第一MOS场效应晶体管的栅极与衬底之间形成滤波电容；在静电释放时，所述静电释放电元与所述第一MOS场效应晶体管形成将聚集的静电电荷转移至地的放电通路。