[发明专利]薄膜晶体管、阵列基板、显示装置及制造薄膜晶体管的方法有效
| 申请号： | 201780000933.2 | 申请日： | 2017-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN109937484B | 公开（公告）日： | 2022-06-10 |
| 发明（设计）人： | 刘威 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 刘悦晗;陈源 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种薄膜晶体管。所述薄膜晶体管包括：彼此间隔分开的第一源电极(20)和第一漏电极(30)；有源层(10)，所述有源层(10)位于所述第一源电极(20)和所述第一漏电极(30)上，并且具有位于所述第一源电极(20)与所述第一漏电极(30)之间的通道部(1)、与所述第一源电极(20)电连接的源电极接触部(2a)，以及与所述第一漏电极(30)电连接的漏电极接触部(3a)；第二源电极(21)，所述第二源电极(21)位于所述源电极接触部(2a)的远离所述第一源电极(20)的一侧，并且与所述第一源电极(20)电连接；以及第二漏电极(31)，所述第二漏电极(31)位于所述漏电极接触部(3a)的远离所述第一漏电极(30)的一侧，并且与所述第一漏电极(30)电连接。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 阵列 显示装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管，包括：彼此间隔分开的第一源电极和第一漏电极；有源层，所述有源层位于所述第一源电极和所述第一漏电极上，并且具有位于所述第一源电极与所述第一漏电极之间的通道部、与所述第一源电极电连接的源电极接触部，以及与所述第一漏电极电连接的漏电极接触部；第二源电极，所述第二源电极位于所述源电极接触部的远离所述第一源电极的一侧，并且与所述第一源电极电连接；以及第二漏电极，所述第二漏电极位于所述漏电极接触部的远离所述第一漏电极的一侧，并且与所述第一漏电极电连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司，未经京东方科技集团股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201780000933.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：垂直磁电自旋轨道逻辑
- 下一篇：光检测装置
- 同类专利
- 专利分类
