[发明专利]低聚硅烷的制造方法有效
| 申请号： | 201780001452.3 | 申请日： | 2017-02-14 |
| 公开（公告）号： | CN107531491B | 公开（公告）日： | 2020-12-18 |
| 发明（设计）人： | 埜村清志;内田博;石原吉满;岛田茂;佐藤一彦;五十岚正安 | 申请（专利权）人： | 昭和电工株式会社 |
| 主分类号： | C01B33/04 | 分类号： | C01B33/04;B01J23/30;B01J29/16;B01J29/40;B01J29/48 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 李照明;段承恩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的目的在于，提供使用特定催化剂的低聚硅烷的制造方法，即、提供与不使用催化剂的情况相比能够以高收率制造低聚硅烷的方法。通过使氢化硅烷的脱氢缩合反应在含有选自元素周期表第3族过渡元素、第4族过渡元素、第5族过渡元素、第6族过渡元素和第7族过渡元素中的至少1种过渡元素的催化剂的存在下进行，能够高效地制造低聚硅烷。 | ||
| 搜索关键词： | 硅烷 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种低聚硅烷的制造方法，其特征在于，包含使氢化硅烷脱氢缩合而生成低聚硅烷的反应工序，所述反应工序在催化剂的存在下进行，所述催化剂含有选自元素周期表第3族过渡元素、第4族过渡元素、第5族过渡元素、第6族过渡元素和第7族过渡元素中的至少1种过渡元素。
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